
Опубликована статья сотрудников лаборатории: "Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках"
12 ноября в журнале "Письма в журнал технической физики" опубликована статья «Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках» от сотрудников нашей лаборатории.

Участие лаборатории в научно-просветительской акции "Открытая Лабораторная"
9 ноября НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург стал площадкой научно-просветительской акции «Открытая Лабораторная», посвящённой Всемирному дню науки за мир и развитие.

Сотрудники лаборатории поучаствовали во Всероссийском конкурсе научно-исследовательских работ студентов и аспирантов.
Сотрудники нашей лаборатории прошли в финал IX Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов.

Почетная грамота вручена научному руководителю МЛКО - Алексею Евгеньевичу Жукову
С радостью сообщаем, что научный руководитель нашей лаборатории Алексей Евгеньевич Жуков был награжден почетной грамотой от Министерства науки и высшего образования РФ за значительные заслуги в сфере образования и добросовестный труд.

Опубликована статья в Q1 журнале, описывающая новый метод создания наноструктур на основе фосфида галлия
11 октября в журнале Materials Research Bulletin (Q1) опубликована статья «Selective area epitaxy of gallium phosphide-based nanostructures on microsphere lithography-patterned Si wafers for visible light optoelectronics» в соавторстве с сотрудниками нашей лаборатории.

МЛКО на XVI Российской конференции по физике полупроводников
С 7 по 11 октября проходила XVI Российская конференция по физике полупроводников, где ведущие ученые представляли свои результаты в области современной науки и технологии полупроводников. В конференции участвовали сотрудники нашей лаборатории, а также коллеги из Лаборатории эпитаксиальных технологий Южного федерального университета, с которыми у нас налажено тесное академическое сотрудничество в рамках проекта "Зеркальных лабораторий".

Сотрудниками лаборатории опубликована статья с обзором факторов, ограничивающих выходную мощность инжекционных III-V микролазеров
27 августа в IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics (Q1) опубликована научная работа сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург, выполненная при сотрудничестве с институтом физики имени Б. И. Степанова НАН Беларуси с названием «Output Power of III-V Injection Microdisk and Microring Lasers».

Опубликованы результаты комплексных исследований люминесценции квантовых точек InGaPAs.
13 августа в Journal of Luminescence (Q2) опубликована научная работа сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург, выполненная при сотрудничестве с Университетом ИТМО, Алфёровским университетом, ФТИ им. А.Ф. Иоффе и ООО «Коннектор Оптикс» с названием «Photoluminescence of dense arrays of InGaPAs/InGaAs quantum dots formed by substitution of group V elements».

В бакалавриате и магистратуре по физике запускается траектория «Физическая механика»
С нового учебного года на программах бакалавриата и магистратуры по физике появится новая траектория — «Физическая механика». Она специализируется на математическом и численном моделировании физических процессов, связанных с механикой твердого тела.

«Самое важное — понимание, чем ты хочешь заниматься»: магистр Питерской Вышки о работе в физической лаборатории
Алексей Караборчев — выпускник магистерской программы «Физика» Питерской Вышки и сотрудник Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники. Интерес к экспериментальной физике у него появился еще в старшей школе — именно тогда он впервые оказался в научно-исследовательской лаборатории и решил связать свою жизнь с физикой. Сейчас Алексей вместе с учеными Питерской Вышки проводит эксперименты, программирует научные установки и трудится над созданием новейших технологий в электронике. В интервью он рассказал, над какими исследованиями работает, поделился, чем его удивили научные лаборатории Питерской Вышки и объяснил, как научные центры могут помочь студентам.