План работ

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции квантово-размерных наногетероструктур с одиночными квантовыми точками InGaAs/GaAs при гелиевых температурах и различных мощностях накачки;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции эпитаксиальных наноструктур с нитевидными нанокристаллами с одиночной квантовой точкой InGaAs/AlGaAs при различных температурах (77-298 К);

Исследования вольт- и ватт-амперных характеристик микролазеров в импульсном режиме при различных температурах кристаллической решетки;

Эксперименты по исследованию поляризационных зависимостей фотолюминесценции квантово-размерных наногетероструктур с одиночными квантовыми точками InGaAs/GaAs при гелиевых температурах;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции III-N гетероструктур с временным разрешением при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции инжекционных микролазеров с активной областью на основе квантовых точек при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции инжекционных микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек при комнатной температуре;

Исследование частотных характеристик полупроводниковых микролазеров, гибридно интегрированных с кремнием, при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции инжекционных микролазеров, гибридно интегрированных с кремнием, при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции инжекционных микролазеров различного диаметра с активной областью на основе квантовых точек при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции p-i-n структур на основе GaP/GaPNAs/GaP при гелиевых температурах и различных мощностях накачки;

Исследования деградационных характеристик полупроводниковых лазерных диодов при нормальных условиях;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции инжекционных микролазеров различного диаметра с активной областью на основе квантовых точек при различных температурах (300 – 400 К);

Исследования деградационных характеристик полупроводниковых лазерных диодов при условиях повышенного старения;

Исследование частотных характеристик полупроводниковых фотодиодов при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции меза-структур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs при различных температурах и мощностях накачки;

Исследования вольт- и ватт-амперных характеристик микролазеров различной геометрии в импульсном режиме при различных температурах кристаллической решетки;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми яма-точками с временным разрешением при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции меза-структур с квантовыми точками GaAs/InGaAs при различных температурах и мощностях накачки;

Исследования вольт- и ватт-амперных характеристик полосковых лазеров в импульсном режиме при различных температурах кристаллической решетки;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции эпитаксиальных наноструктур с нитевидными нанокристаллами с одиночной квантовой точкой InGaAs/AlGaAs при различных температурах (5-298 К);

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции меза-структур с квантовыми яма-точками GaAs/InGaAs при различных температурах и мощностях накачки;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции наноструктур с квантовыми яма с различными профилями легирования при различных температурах и мощностях накачки;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции III-N наноструктур при комнатной температуре и различных приложенных напряжениях;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции образцов квантоворазмерных гетероструктур в диапазоне температур 5-298 К;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции квантоворазмерных гетероструктур с временным разрешением при комнатной температуре;

Исследования вольт- и ватт-амперных характеристик лазерных диодов в импульсном режиме;

Исследования деградационных характеристик полупроводниковых лазерных диодов при нормальных условиях;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции образцов эпитаксиальных структур в диапазоне температур 5-298 К;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции квантово-размерных гетероструктур с временным разрешением при комнатной температуре;

Исследования деградационных характеристик полупроводниковых лазерных диодов при условиях повышенного старения;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции образцов III-N гетероструктур в диапазоне температур 5-298 К при различных интенсивностях фотовозбуждения;

Исследование частотных характеристик полупроводниковых фотодиодов при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции образцов квантово-размерных гетероструктур в диапазоне температур 5-298 К при разных мощностях оптической накачки;

Исследование частотных характеристик полупроводниковых фотодиодов при криогенных температурах;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции квантово-размерных гетероструктур с временным разрешением при различных температурах (5-298 К);

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции образцов микролазеров с наночастицей на поверхности в диапазоне температур 5-298 К при различных интенсивностях фотовозбуждения;

Исследования вольт- и ватт-амперных характеристик полосковых лазерных диодов в импульсном режиме при различных температурах кристаллической решетки;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции эпитаксиальных наноструктур с квантовыми точками, выращенных методом капельной эпитаксии, при криогенных температурах и различных интенсивностях фотовозбуждения;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции эпитаксиальных микроструктур, обработанных фокусированным ионным пучком, при криогенных температурах и различных интенсивностях фотовозбуждения;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции эпитаксиальных наноструктур InP/InGaP/Si при различных температурах (5-298 К) и различных мощностях накачки;

Исследование частотных характеристик полупроводниковых микролазеров, гибридно интегрированных с кремнием, при комнатной температуре.