Опубликована статья в Q1 журнале, описывающая новый метод создания наноструктур на основе фосфида галлия

11 октября в журнале Materials Research Bulletin (Q1) опубликована статья «Selective area epitaxy of gallium phosphide-based nanostructures on microsphere lithography-patterned Si wafers for visible light optoelectronics» в соавторстве с сотрудниками нашей лаборатории.

В опубликованном исследовании был продемонстрирован новый метод создания наноструктур на основе фосфида галлия (GaP) с помощью селективной молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией. Такие структуры перспективны для создания на их основе источников излучения видимого диапазона спектра.

Полученные в работе наноструктуры включают сегменты GaAsP и GaPN и формируются на специально подготовленных подложках из SiO2/Si(001). Подложка была структурирована при помощи оптической литографии и травления кремния, что позволило контролировать форму и место роста наноструктур. Анализ полученных структур с помощью рентгеновской дифракции и спектроскопии комбинационного рассеяния подтвердил однородность их состава. Структуры на основе GaPN продемонстрировали наиболее яркое свечение красного цвета при комнатной температуре, на порядок более интенсивное чем у структур на основе GaAsP. Образование азотной подзоны в сплаве GaPN было подтверждено в рамках теории функционала плотности, что позволило интерпретировать экспериментальные результаты.

Описанный в работе подход к созданию структур может быть использован для получения упорядоченных массивов наноразмерных излучателей света видимого диапазона на кремнии.