
Микролазеры с квантовыми точками оказались способны работать даже при высоких температурах
Ученые из Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники исследовали, как размер резонатора влияет на температуру работы микродискового лазера с квантовыми точками в режиме двухуровневой генерации. Выяснилось, что микролазеры способны генерировать излучение на нескольких частотах даже при высокой температуре. Это позволит в будущем использовать микролазеры в фотонных интегральных схемах и передавать в два раза больше информации. Результаты исследования опубликованы в журнале Nanomaterials .

Как исследуют и создают полупроводники для нанофотоники
В 2022 году Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники Питерской Вышки и Лаборатория эпитаксиальных технологий ЮФУ начали совместные исследования. Это стало возможным благодаря конкурсу «Зеркальные лаборатории». Проект посвящен полупроводниковым гетероструктурам А3B5 с квантовыми точками, излучателям одиночных фотонов, а также микро- и нанолазерам. Наталья Крыжановская и Максим Солодовник дали интервью о современных технологиях и межуниверситетских связях.

Физики Питерской Вышки – победители «молодежных» конкурсов 2022 года Президентской программы РНФ
Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург получили гранты Российского научного фонда на проведение исследований по двум проектам.

Физики Питерской Вышки исследуют интегрированные с кремнием наноструктуры. Почему это полезно
Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники Питерской Вышки получили грантовую поддержку Российского научного фонда. Тема будущего исследования — источники излучения в диапазоне 1,3–1,55 мкм на основе III-V наноструктур, интегрированных в кремний.

Учёные-физики выиграли стипендию Президента РФ и грант комитета по науке и высшей школе
Объявлены победители стипендиального конкурса Президента РФ и получатели субсидий от Комитета по науке и высшей школе Санкт-Петербурга. В их число вошли исследователи из Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники.