Опубликованы результаты комплексных исследований люминесценции квантовых точек InGaPAs.

13 августа в Journal of Luminescence (Q2) опубликована научная работа сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург, выполненная при сотрудничестве с Университетом ИТМО, Алфёровским университетом, ФТИ им. А.Ф. Иоффе и ООО «Коннектор Оптикс» с названием «Photoluminescence of dense arrays of InGaPAs/InGaAs quantum dots formed by substitution of group V elements».

Представлены результаты комплексных исследований люминесценции квантовых точек InGaPAs, полученных методом замещения элементов пятой группы, позволившим добиться рекордной поверхностной концентрации квантовых точек, получаемых на подложках GaAs. Показана возможность спектральной перестройки полосы люминесценции квантовых точек в длинноволновую область за счет заращивания квантовых точек слоем InGaAs, а также продемонстрирована возможность увеличения интенсивности люминесценции таких InGaPAs квантовых точек до 4 раз посредством их быстрого термического отжига. Созданные структуры с высокоплотными массивами квантовых точек перспективны для создания на их основе источников/детекторов инфракрасного излучения с высокими значениями модального усиления/поглощения.