Сотрудниками лаборатории опубликована статья с обзором факторов, ограничивающих выходную мощность инжекционных III-V микролазеров

27 августа в IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics (Q1) опубликована научная работа сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург, выполненная при сотрудничестве с институтом физики имени Б. И. Степанова НАН Беларуси с названием «Output Power of III-V Injection Microdisk and Microring Lasers».

В работе сделан обзор актуальных результатов о достигнутой в различных инжекционных III-V микролазерах оптической выходной мощности, и проанализированы ключевые характеристики, ограничивающие максимальную выходную мощность. В частности, было рассмотрено влияние саморазогрева активной области при работе микролазеров в режиме постоянного тока, а также влияние затрудненного вывода излучения из микрорезонаторов, поддерживающих распространение мод шепчущей галереи. Проведено сравнение микролазеров, изготовленных различными методами из различных полупроводниковых материалов группы III-V, для увеличения выходной оптической мощности. Помимо этого, в работе представлено исследование шума относительной интенсивности в микролазерах дисковой геометрии и показано, что при условии оптимизации их конструкции, подобные микролазеры являются перспективным источником когерентного излучения для задач, связанных с передачей данных и требующих высокой пропускной способности.