В 2022 году в рамках открытого конкурса НИУ ВШЭ «Зеркальные лаборатории» был поддержан совместный проект Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург и лаборатории эпитаксиальных технологий Южного федерального университета (ЮФУ) в г. Таганроге «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров».

Проект направлен на организацию устойчивого взаимодействия двух лабораторий для проведения совместных научных исследований в области получения и исследования свойств функциональных полупроводниковых наноматериалов для применений в различных оптоэлектронных системах.

Цель работы заключается в исследовании и оптимизации процессов предварительного структурирования подложек GaAs и их предростовой подготовки, а также изучении роста квантовых точек In(Ga)As/GaAs и влияния условий молекулярно-пучковой эпитаксии на структуру и свойства получаемых полупроводниковых структур. Работа также включает экспериментальные исследования эпитаксиальных полупроводниковых структур оптическими методами, в том числе с помощью время-разрешенной спектроскопии в широком диапазоне температур (5 – 300К). Важной задачей является проведение совместных семинаров и организация стажировок для координации усилий по выполнению задач проекта, обсуждения совместных научных результатов, подготовка их к публикации, а так же создание общего научного задела и получение совместного результата для эффективного продолжения научного взаимодействия с привлечением внешнего финансирования.

Исследование реализуется в 2022-2024 гг. при активном вовлечении студентов и аспирантов университетов-партнёров.

Партнер проекта:

Партнер проекта – Южный федеральный университет

Научное подразделение партнера – Лаборатория эпитаксиальных технологий

Руководитель научного подразделения Партнера – к.т.н., Солодовник М.С.

Руководитель научного подразделения НИУ ВШЭ – д.ф.м.н. Крыжановская Н.В.

Научный коллектив: