НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерный институт Академии наук из КНР займутся разработкой передовых микролазеров
Ученые НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерного института Академии наук провинции Шаньдун (КНР) займутся разработкой передовых микролазеров — приборов, востребованных в новых IT-решениях, оптоэлектронике и экологическом мониторинге. Соответствующее соглашение подписано в новом корпусе Питерской Вышки — Канатном цехе, который станет площадкой для российских ученых.
Возобновление академического сотрудничества коллективов лабораторий эпитаксиальных технологий (ЮФУ) и междунардоной лаборатории квантовой оптоэлектроники в рамках проекта "Зеркальные лаборатории"
В 2025 году НИУ ВШЭ была поддержана заявка на продолжение совместного научного исследования в 2025-2027 годах с новым названием проекта «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования».
Совместный круглый стол на 12-й Школе-конференции с международным участием по Оптоэлектронике, Фотонике и Наноструктурам SPbOPEN 2025 в рамках проекта НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество»
21 мая 2025 года в рамках проведения 12-й Школы-конференции с международным участием SPbOPEN 2025 пройдет круглый стол о материалам совместного исследования в рамках проекта НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество» (Academic Cooperation) Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ Санкт-Петербург и научного коллектива Центра «Широкозонная нано- и микроэлектроника» Института физики имени Б.И. Степанова, НАН Беларуси.
Проведен круглый стол в рамках программы «Международное академическое сотрудничество» в рамках 8 научного симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология".
С 15 по 18 апреля на базе Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН был проведен круглый стол по результатам оптических исследований проведенных в НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург в рамках проекта «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»
Проведение круглого стола в рамках проекта международного академического сотрудничества
18 апреля состоится круглый стол в рамках проекта "Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов" на симпозиуме "Полупроводниковые лазеры: физика и технология".
Кампания дополнительного набора студентов и аспирантов НИУ ВШЭ в 2025 году
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники информирует о старте кампании дополнительного набора студентов и аспирантов НИУ ВШЭ. По итогам дополнительного набора планируется привлечь стажеров на неполный рабочий день.
Опубликована новая работа в журнале Applied Surface Science в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".
10 января в журнале Applied Surface Science опубликована статья сотрудников лаборатории "New way to nanopattern GaAs surface for subcritical formation of InAs quantum dots" совместно с нашими коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ.
Начинаем год с хороших новостей!
8 января в журнале Optics Letters (Q1) опубликована статья сотрудников лаборатории «Ultra-short stripe microlasers fabricated with a focused ion beam etching technique» в соавторстве с нашими коллегами из ЮФУ.
Научный семинар в рамках программы «Международное академическое сотрудничество»
Состоялся научный семинар по результатам оптических исследований проведенных в НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург в рамках проекта «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»