Исследователи НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург изучили устойчивость микролазеров к высоким температурам
Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург выявили температурную устойчивость InGaN/GaN микролазеров. Исследование открывает новые возможности для создания фотонных схем, передающих данные в электронных устройствах. Работа опубликована в журнале «Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки».
Физик НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург объяснила, почему в современной науке важны идеи и компетенции, а не стереотипы
11 февраля отмечается Международный день женщин и девочек в науке. Мы поговорили с заведующим Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург Натальей Крыжановской о выборе профессионального пути, силе команды и о том, почему в науке всегда важно пробовать.
Семинар по планированию научно-исследовательской деятельности в рамках проекта «Международное академическое сотрудничество» в 2026 году
Был проведен совместный онлайн-семинар, посвящённый планированию экспериментальных исследований, публикаций и участия в конкурсах для привлечения дополнительного внешнего финансирования на 2026 год по проекту «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов».
Научный семинар по результатам выполнения проекта в рамках программы «Международное академическое сотрудничество» в 2025 году
Был проведен совместный онлайн-семинар, посвящённый обсуждению результатов исследований по проекту «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов», полученных в 2025 году.
Молодой физик Питерской Вышки разработал уникальные фотонные интегральные схемы
Исследователь Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург создал интегральную оптопару на основе квантовых точек, которая поможет заменить электрические соединения в вычислительной технике на световые сигналы. Разработка открывает новые возможности для создания суперкомпьютера нового поколения.
НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерный институт Академии наук из КНР займутся разработкой передовых микролазеров
Ученые НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерного института Академии наук провинции Шаньдун (КНР) займутся разработкой передовых микролазеров — приборов, востребованных в новых IT-решениях, оптоэлектронике и экологическом мониторинге. Соответствующее соглашение подписано в новом корпусе Питерской Вышки — Канатном цехе, который станет площадкой для российских ученых.
Возобновление академического сотрудничества коллективов лабораторий эпитаксиальных технологий (ЮФУ) и междунардоной лаборатории квантовой оптоэлектроники в рамках проекта "Зеркальные лаборатории"
В 2025 году НИУ ВШЭ была поддержана заявка на продолжение совместного научного исследования в 2025-2027 годах с новым названием проекта «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования».
Совместный круглый стол на 12-й Школе-конференции с международным участием по Оптоэлектронике, Фотонике и Наноструктурам SPbOPEN 2025 в рамках проекта НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество»
21 мая 2025 года в рамках проведения 12-й Школы-конференции с международным участием SPbOPEN 2025 пройдет круглый стол о материалам совместного исследования в рамках проекта НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество» (Academic Cooperation) Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ Санкт-Петербург и научного коллектива Центра «Широкозонная нано- и микроэлектроника» Института физики имени Б.И. Степанова, НАН Беларуси.