План работ

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»,

Работы по экспериментальным исследованиям в импульсном режиме спектральных, мощностных и электрических характеристик суперлюминесцентных диодов с InGaAs квантовыми яма-точками, электролюминесценции и спектров фототока образцов гетероструктур с полосковым волноводом для исполнения проекта Российского научного фонда № 23-72-00038,

Измерение спектров фотолюминесценции и спектров люминесценции с временным разрешением в рамках Соглашения №23-79-00032 Российского научного фонда

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»,

Работы по экспериментальным исследованиям в импульсном режиме спектральных, мощностных и электрических характеристик суперлюминесцентных диодов с InGaAs квантовыми яма-точками, электролюминесценции и спектров фототока образцов гетероструктур с полосковым волноводом для исполнения проекта Российского научного фонда № 23-72-00038,

Измерение спектров фотолюминесценции и спектров люминесценции с временным разрешением в рамках Соглашения №23-79-00032 Российского научного фонда,

Работы по экспериментальным исследованиям фотолюминесценции образцов с InGaN наноструктурами непланарной морфологии для исполнения проекта Российского научного фонда от 12.04.2023 № 23-79-00012

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»,

Работы по экспериментальным исследованиям в импульсном режиме спектральных, мощностных и электрических характеристик суперлюминесцентных диодов с InGaAs квантовыми яма-точками, электролюминесценции и спектров фототока образцов гетероструктур с полосковым волноводом для исполнения проекта Российского научного фонда № 23-72-00038,

Измерение спектров фотолюминесценции и спектров люминесценции с временным разрешением в рамках Соглашения №23-79-00032 Российского научного фонда,

Работы по экспериментальным исследованиям фотолюминесценции образцов с InGaN наноструктурами непланарной морфологии для исполнения проекта Российского научного фонда от 12.04.2023 № 23-79-00012

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»,

Измерение спектров фотолюминесценции и спектров люминесценции с временным разрешением в рамках Соглашения №23-79-00032 Российского научного фонда

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники:

ПФИ НИУ ВШЭ «Исследование дисковых микролазеров и фотонных интегральных схем для оптических переключений и сенсорных элементов»,

Проект Международного академического сотрудничества совместно с Институтом физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»,

Проект Зеркальных лабораторий НИУ ВШЭ совместно с Южным федеральным университетом «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования»,

РНФ № 25-72-20048 «Микролазеры на основе связанных и деформированных резонаторов с квантовыми точками для интегральных схем передачи и обработки информации»,

РНФ № 22-72-10002 «Температурно-стабильные быстродействующие микролазеры с квантовыми точками InGaAs на подложках кремния»

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002, РНФ № 22-72-00028 Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002, РНФ № 22-72-00028 Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002, РНФ № 22-72-00028 Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002, РНФ № 22-72-00028 Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники.
Работы по экспериментальным исследованиям фотолюминесценции и комбинационного рассеяния образцов с InGaN наноструктурами  непланарной морфологии для исполнения проекта Российского научного фонда от 12.04.2023 № 23-79-00012.
Работы по экспериментальным исследованиям в рамках соглашения №23-79-00032 Российского научного фонда.
Работы по экспериментальным исследованиям электрических и оптических характеристик суперлюминесцентных для исполнения проекта Российского научного фонда № 23-72-00038.

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002, РНФ № 22-72-00028 Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники
Работы по экспериментальным исследованиям фотолюминесценции и комбинационного рассеяния образцов с InGaN наноструктурами  непланарной морфологии для исполнения проекта Российского научного фонда от 12.04.2023 № 23-79-00012.
Работы по экспериментальным исследованиям в рамках соглашения №23-79-00032 Российского научного фонда.
Работы по экспериментальным исследованиям электрических и оптических характеристик суперлюминесцентных для исполнения проекта Российского научного фонда № 23-72-00038.
 

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002, РНФ № 22-72-00028 Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники
Работы по экспериментальным исследованиям фотолюминесценции и комбинационного рассеяния образцов с InGaN наноструктурами  непланарной морфологии для исполнения проекта Российского научного фонда от 12.04.2023 № 23-79-00012.
Работы по экспериментальным исследованиям в рамках соглашения №23-79-00032 Российского научного фонда.
Работы по экспериментальным исследованиям электрических и оптических характеристик суперлюминесцентных для исполнения проекта Российского научного фонда № 23-72-00038.

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002 Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники
Работы по экспериментальным исследованиям фотолюминесценции и комбинационного рассеяния образцов с InGaN наноструктурами  непланарной морфологии для исполнения проекта Российского научного фонда от 12.04.2023 № 23-79-00012.
Работы по экспериментальным исследованиям в рамках соглашения №23-79-00032 Российского научного фонда.
Работы по экспериментальным исследованиям электрических и оптических характеристик суперлюминесцентных для исполнения проекта Российского научного фонда № 23-72-00038.
 

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002  Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002 Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002  Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002  Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Эксперименты с использованием различных комбинаций систем по проектам ПФИ НИУ ВШЭ, Зеркальных лабораторий «Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров», РНФ № 22-72-10002 Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции квантово-размерных наногетероструктур с одиночными квантовыми точками InGaAs/GaAs при гелиевых температурах и различных мощностях накачки;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции эпитаксиальных наноструктур с нитевидными нанокристаллами с одиночной квантовой точкой InGaAs/AlGaAs при различных температурах (77-298 К);

Исследования вольт- и ватт-амперных характеристик микролазеров в импульсном режиме при различных температурах кристаллической решетки;

Эксперименты по исследованию поляризационных зависимостей фотолюминесценции квантово-размерных наногетероструктур с одиночными квантовыми точками InGaAs/GaAs при гелиевых температурах;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции III-N гетероструктур с временным разрешением при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции инжекционных микролазеров с активной областью на основе квантовых точек при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции инжекционных микролазеров с активной областью на основе квантовых ям-точек при комнатной температуре;

Исследование частотных характеристик полупроводниковых микролазеров, гибридно интегрированных с кремнием, при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции инжекционных микролазеров, гибридно интегрированных с кремнием, при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции инжекционных микролазеров различного диаметра с активной областью на основе квантовых точек при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции p-i-n структур на основе GaP/GaPNAs/GaP при гелиевых температурах и различных мощностях накачки;

Исследования деградационных характеристик полупроводниковых лазерных диодов при нормальных условиях;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции инжекционных микролазеров различного диаметра с активной областью на основе квантовых точек при различных температурах (300 – 400 К);

Исследования деградационных характеристик полупроводниковых лазерных диодов при условиях повышенного старения;

Исследование частотных характеристик полупроводниковых фотодиодов при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции меза-структур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs при различных температурах и мощностях накачки;

Исследования вольт- и ватт-амперных характеристик микролазеров различной геометрии в импульсном режиме при различных температурах кристаллической решетки;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми яма-точками с временным разрешением при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции меза-структур с квантовыми точками GaAs/InGaAs при различных температурах и мощностях накачки;

Исследования вольт- и ватт-амперных характеристик полосковых лазеров в импульсном режиме при различных температурах кристаллической решетки;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции эпитаксиальных наноструктур с нитевидными нанокристаллами с одиночной квантовой точкой InGaAs/AlGaAs при различных температурах (5-298 К);

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции меза-структур с квантовыми яма-точками GaAs/InGaAs при различных температурах и мощностях накачки;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции наноструктур с квантовыми яма с различными профилями легирования при различных температурах и мощностях накачки;

Эксперименты по исследованию электролюминесценции III-N наноструктур при комнатной температуре и различных приложенных напряжениях;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции образцов квантоворазмерных гетероструктур в диапазоне температур 5-298 К;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции квантоворазмерных гетероструктур с временным разрешением при комнатной температуре;

Исследования вольт- и ватт-амперных характеристик лазерных диодов в импульсном режиме;

Исследования деградационных характеристик полупроводниковых лазерных диодов при нормальных условиях;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции образцов эпитаксиальных структур в диапазоне температур 5-298 К;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции квантово-размерных гетероструктур с временным разрешением при комнатной температуре;

Исследования деградационных характеристик полупроводниковых лазерных диодов при условиях повышенного старения;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции образцов III-N гетероструктур в диапазоне температур 5-298 К при различных интенсивностях фотовозбуждения;

Исследование частотных характеристик полупроводниковых фотодиодов при комнатной температуре;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции образцов квантово-размерных гетероструктур в диапазоне температур 5-298 К при разных мощностях оптической накачки;

Исследование частотных характеристик полупроводниковых фотодиодов при криогенных температурах;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции квантово-размерных гетероструктур с временным разрешением при различных температурах (5-298 К);

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции образцов микролазеров с наночастицей на поверхности в диапазоне температур 5-298 К при различных интенсивностях фотовозбуждения;

Исследования вольт- и ватт-амперных характеристик полосковых лазерных диодов в импульсном режиме при различных температурах кристаллической решетки;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции эпитаксиальных наноструктур с квантовыми точками, выращенных методом капельной эпитаксии, при криогенных температурах и различных интенсивностях фотовозбуждения;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции эпитаксиальных микроструктур, обработанных фокусированным ионным пучком, при криогенных температурах и различных интенсивностях фотовозбуждения;

Эксперименты по исследованию фотолюминесценции эпитаксиальных наноструктур InP/InGaP/Si при различных температурах (5-298 К) и различных мощностях накачки;

Исследование частотных характеристик полупроводниковых микролазеров, гибридно интегрированных с кремнием, при комнатной температуре.