Семинар по планированию научно-исследовательской деятельности в рамках проекта «Международное академическое сотрудничество» в 2026 году
Был проведен совместный онлайн-семинар, посвящённый планированию экспериментальных исследований, публикаций и участия в конкурсах для привлечения дополнительного внешнего финансирования на 2026 год по проекту «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов».
Научный семинар по результатам выполнения проекта в рамках программы «Международное академическое сотрудничество» в 2025 году
Был проведен совместный онлайн-семинар, посвящённый обсуждению результатов исследований по проекту «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов», полученных в 2025 году.
Молодой физик Питерской Вышки разработал уникальные фотонные интегральные схемы
Исследователь Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург создал интегральную оптопару на основе квантовых точек, которая поможет заменить электрические соединения в вычислительной технике на световые сигналы. Разработка открывает новые возможности для создания суперкомпьютера нового поколения.
НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерный институт Академии наук из КНР займутся разработкой передовых микролазеров
Ученые НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерного института Академии наук провинции Шаньдун (КНР) займутся разработкой передовых микролазеров — приборов, востребованных в новых IT-решениях, оптоэлектронике и экологическом мониторинге. Соответствующее соглашение подписано в новом корпусе Питерской Вышки — Канатном цехе, который станет площадкой для российских ученых.
Возобновление академического сотрудничества коллективов лабораторий эпитаксиальных технологий (ЮФУ) и междунардоной лаборатории квантовой оптоэлектроники в рамках проекта "Зеркальные лаборатории"
В 2025 году НИУ ВШЭ была поддержана заявка на продолжение совместного научного исследования в 2025-2027 годах с новым названием проекта «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования».
Проведен круглый стол в рамках программы «Международное академическое сотрудничество» в рамках 8 научного симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология".
С 15 по 18 апреля на базе Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН проводился 8-ой симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология". В рамках этого мероприятия был проведен круглый стол по результатам оптических исследований проведенных в НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург в рамках проекта «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»
Кампания дополнительного набора студентов и аспирантов НИУ ВШЭ в 2025 году
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники информирует о старте кампании дополнительного набора студентов и аспирантов НИУ ВШЭ. По итогам дополнительного набора планируется привлечь стажеров на неполный рабочий день.
Опубликована новая работа в журнале Applied Surface Science в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".
10 января в журнале Applied Surface Science опубликована статья сотрудников лаборатории "New way to nanopattern GaAs surface for subcritical formation of InAs quantum dots" совместно с нашими коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ.