Международная лаборатория создана в 2020 году в структуре факультета Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург (сейчас - Школа информатики, физики и технологий).
Направлениями исследования лаборатории являются:
- Изучение новых физических явлений в полупроводниковых наноструктурах, лазерных микрорезонаторах и оптических волноводах, а также поиск методов применения этих эффектов при разработке интегральных приборов оптоэлектроники/нанофотоники
- Поиск новых функциональных возможностей для сверхмалых излучателей света, источников одиночных и запутанных фотонов, высокоскоростных систем оптической связи, оптических интегральных схем, оптических датчиков и других приложений.
- Устранение технологических проблем, связанных с разработкой оптоэлектронных/фотонных приборов на основе микро- и нанорезонаторов для систем оптических межсоединений на кристалле.
Был проведен совместный онлайн-семинар, посвящённый планированию экспериментальных исследований, публикаций и участия в конкурсах для привлечения дополнительного внешнего финансирования на 2026 год по проекту «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов».
Наукаисследования и аналитикарепортаж о событиимеждународное сотрудничествонаучно-исследовательский семинар
7 ноября
Был проведен совместный онлайн-семинар, посвящённый обсуждению результатов исследований по проекту «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов», полученных в 2025 году.
Наукаисследования и аналитикарепортаж о событиимеждународное сотрудничествонаучно-исследовательский семинар
24 октября
7 октября
Исследователь Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург создал интегральную оптопару на основе квантовых точек, которая поможет заменить электрические соединения в вычислительной технике на световые сигналы. Разработка открывает новые возможности для создания суперкомпьютера нового поколения.
Наукаидеи и опытисследования и аналитикавзгляд ученогоПрограмма развития 2030аспирантураВышка технологическаяПриоритет 2030НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге
6 октября
Ученые НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерного института Академии наук провинции Шаньдун (КНР) займутся разработкой передовых микролазеров — приборов, востребованных в новых IT-решениях, оптоэлектронике и экологическом мониторинге. Соответствующее соглашение подписано в новом корпусе Питерской Вышки — Канатном цехе, который станет площадкой для российских ученых.
Программа развития 2030исследования и аналитикарепортаж о событииинновациимеждународное сотрудничествоВышка глобальнаяВышка технологическаяПриоритет 2030НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге
7 июля
20 мая
В 2025 году НИУ ВШЭ была поддержана заявка на продолжение совместного научного исследования в 2025-2027 годах с новым названием проекта «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования».
6 мая
21 мая 2025 года в рамках проведения 12-й Школы-конференции с международным участием SPbOPEN 2025 пройдет круглый стол о материалам совместного исследования в рамках проекта НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество» (Academic Cooperation) Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ Санкт-Петербург и научного коллектива Центра «Широкозонная нано- и микроэлектроника» Института физики имени Б.И. Степанова, НАН Беларуси.
6 мая
С 15 по 18 апреля на базе Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН проводился 8-ой симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология". В рамках этого мероприятия был проведен круглый стол по результатам оптических исследований проведенных в НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург в рамках проекта «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»
4 мая
18 апреля состоится круглый стол в рамках проекта "Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов" на симпозиуме "Полупроводниковые лазеры: физика и технология".
9 апреля