• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Новости

Статья МЛКО о микролазерах на сапфировой подложке, излучающих в глубоком ультрафиолетовом диапазоне спектра, принята к публикации

Научная работа сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург «UV-C microdisk lasers based on AlGaN heterostructures on sapphire», выполненная в сотрудничестве с Институтом физики имени Б. И. Степанова НАН Беларуси в рамках проекта «Международное академическое сотрудничество», принята к публикации в журнале Optics & Laser Technology.

Иллюстрация к новости: «Хотелось бы создать фотонно-интегральную схему, которую можно будет применить на практике»

«Хотелось бы создать фотонно-интегральную схему, которую можно будет применить на практике»

Научный сотрудник Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге Никита Фоминых пришел в Вышку ради творческой атмосферы и возможности проводить эксперименты и исследования на уникальном оборудовании лаборатории. Недавно он защитил кандидатскую диссертацию, посвященную изучению и разработке компонентов для фотонных интегральных схем. О работе в лаборатории и о своих исследовательских планахученый рассказал «Вышке.Главное».

Иллюстрация к новости: Ученый НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург исследовал уникальную магнитную динамику кристаллов в терагерцовом диапазоне сетей 6G

Ученый НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург исследовал уникальную магнитную динамику кристаллов в терагерцовом диапазоне сетей 6G

Ученый НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург Михаил Просников впервые детально изучил свойства монокристаллов титаната кобальта в сверхсильных магнитных полях. Исследование опубликовано в высокорейтинговом журнале Physical Review B («Физическое обозрение») и в перспективе может сыграть весомую роль для развития технологий в диапазоне частот 6G.

Иллюстрация к новости: Исследователи НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург изучили устойчивость микролазеров к высоким температурам

Исследователи НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург изучили устойчивость микролазеров к высоким температурам

Сотрудники Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург выявили температурную устойчивость InGaN/GaN микролазеров. Исследование открывает новые возможности для создания фотонных схем, передающих данные в электронных устройствах. Работа опубликована в журнале «Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки».

Иллюстрация к новости: Физик НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург объяснила, почему в современной науке важны идеи и компетенции, а не стереотипы

Физик НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург объяснила, почему в современной науке важны идеи и компетенции, а не стереотипы

11 февраля отмечается Международный день женщин и девочек в науке. Мы поговорили с заведующим Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург Натальей Крыжановской о выборе профессионального пути, силе команды и о том, почему в науке всегда важно пробовать.

Иллюстрация к новости: Семинар по планированию научно-исследовательской деятельности в рамках проекта «Международное академическое сотрудничество» в 2026 году

Семинар по планированию научно-исследовательской деятельности в рамках проекта «Международное академическое сотрудничество» в 2026 году

Был проведен совместный онлайн-семинар, посвящённый планированию экспериментальных исследований, публикаций и участия в конкурсах для привлечения дополнительного внешнего финансирования на 2026 год по проекту «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов».

Иллюстрация к новости: Научный семинар по результатам выполнения проекта в рамках программы «Международное академическое сотрудничество» в 2025 году

Научный семинар по результатам выполнения проекта в рамках программы «Международное академическое сотрудничество» в 2025 году

Был проведен совместный онлайн-семинар, посвящённый обсуждению результатов исследований по проекту «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов», полученных в 2025 году.

Иллюстрация к новости: 8 сентября в Journal of Applied Physics была опубликована статья «Analysis of factors determining the azimuthal and radial order of lasing mode in III–V quantum dot disk microlasers».

8 сентября в Journal of Applied Physics была опубликована статья «Analysis of factors determining the azimuthal and radial order of lasing mode in III–V quantum dot disk microlasers».

Иллюстрация к новости: Молодой физик Питерской Вышки разработал уникальные фотонные интегральные схемы

Молодой физик Питерской Вышки разработал уникальные фотонные интегральные схемы

Исследователь Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург создал интегральную оптопару на основе квантовых точек, которая поможет заменить электрические соединения в вычислительной технике на световые сигналы. Разработка открывает новые возможности для создания суперкомпьютера нового поколения.

Иллюстрация к новости: НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерный институт Академии наук из КНР займутся разработкой передовых микролазеров

НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерный институт Академии наук из КНР займутся разработкой передовых микролазеров

Ученые НИУ ВШЭ — Санкт-Петербург и Лазерного института Академии наук провинции Шаньдун (КНР) займутся разработкой передовых микролазеров — приборов, востребованных в новых IT-решениях, оптоэлектронике и экологическом мониторинге. Соответствующее соглашение подписано в новом корпусе Питерской Вышки — Канатном цехе, который станет площадкой для российских ученых.