Проведен круглый стол в рамках программы «Международное академическое сотрудничество» в рамках 8 научного симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология".

С 15 по 18 апреля на базе Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН был проведен круглый стол по результатам оптических исследований проведенных в НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург в рамках проекта «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»

В открывающий день конференции Жуков Алексей Евгеньевич представил доклад на тему «Высокое оптическое усиление квантовых точек и возможность его использования в лазерах», в котором были освещены перспективные направления разработки квантово-размерных наноструктур для применения в полупроводниковых лазерах. Комаров Сергей Дмитриевич выступил с докладом «Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN, выращенных на кремнии», где были представлены результаты последних экспериментов по созданию нитридных микролазеров на кремниевой подложке.

В рамках симпозиума наша лаборатория организовала круглый стол «III-N дисковые микролазеры на кремнии: от оптической к токовой накачке», проведённый при активном участии коллег из Института физики имени Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси. В рамках круглого стола обсуждались последние достигнутые результаты по созданию III-N микродисковых лазеров с оптической накачкой и возможные подходы к реализации токовой накачки в этих устройствах.