Учёные-физики выиграли стипендию Президента РФ и грант комитета по науке и высшей школе

Объявлены победители стипендиального конкурса Президента РФ и получатели субсидий от Комитета по науке и высшей школе Санкт-Петербурга. В их число вошли исследователи из Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники.

iStock

Стипендию Президента Российской Федерации получил Эдуард Ильмирович Моисеев, научный сотрудник лаборатории. Его исследование посвящено  быстродействию интегрированных с кремниевым чипом высокоэффективных А3В5 микролазеров с квантоворазмерной активной областью. Во время работы над исследованием учёный будет ежемесячно получать стипендию в размере 22 800 рублей.

Грант для молодых исследователей от Комитета по науке и высшей школе Санкт-Петербурга получили два научных сотрудника Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники — Иван Сергеевич Махов и Эдуард Ильмирович Моисеев. Ивану Сергеевичу назначена поддержка в размере 150 тысяч рублей, а Эдуарду Эльмировичу — 100 тысяч рублей.

Эдуард Ильмирович Моисеев, научный сотрудник Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Комитет по науке и высшей школе поддержал проект по исследованию термического сопротивления и спектральных характеристик микролазеров. Эти лазеры были интегрированы с кремниевым чипом с помощью термокомпрессионной сварки. В результате исследования было показано, что интеграция таким методом значительно снижает тепловое сопротивление, увеличивает максимальную оптическую мощность и снижает энергопотребление микролазеров, которые могут быть использованы в системах хранения и обработки данных, квантовых вычислений и искусственного интеллекта.

Поскольку характеристики устройств заметно улучшились, мы решили исследовать быстродействие таких микролазеров. Этому посвящен второй проект.  

Поддержанное Комитетом по науке и высшей школе исследование уже завершено, а средства гранта потрачены на закупку оборудования. Для выполнения второго проекта мне назначена стипендия Президента РФ на 2022–2024 годы.

Иван Сергеевич Махов, научный сотрудник Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Грант Комитета по науке и высшей школе пошёл на приобретение недостающего оборудования и расходных материалов для исследования. Проект носит фундаментальный характер и посвящен изучению эффекта увлечения фотонов током электронов в наногетероструктурах с множественными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. Проект выполнен совместно с Санкт-Петербургским политехническим университетом Петра Великого.

В проекте нам удалось впервые экспериментально обнаружить и исследовать эффект увлечения фотонов током двумерных электронов в наноструктурах с квантовыми ямами в инфракрасной области спектра. В основу легла оригинальная экспериментальная методика, которая базируется на использовании интерферометра Маха-Цендера и лазера на углекислоте. Благодаря этому мы получили зависимость величины изменения показателя преломления от плотности тока в квантовых ямах для различных длин волн и поляризации излучения CO2‑лазера. Нами показано, что эффект зависит от взаимного направления волнового вектора света и направления тока через наноструктуру с квантовыми ямами. Полученные результаты могут быть использованы в дальнейшем для разработки модуляторов инфракрасного излучения.