Статья МЛКО о микролазерах на сапфировой подложке, излучающих в глубоком ультрафиолетовом диапазоне спектра, принята к публикации

Научная работа сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург «UV-C microdisk lasers based on AlGaN heterostructures on sapphire», выполненная в сотрудничестве с Институтом физики имени Б. И. Степанова НАН Беларуси в рамках проекта «Международное академическое сотрудничество», принята к публикации в журнале Optics & Laser Technology.

В работе продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре в AlGaN-микродисковых лазерах на длине волны около 255 нм. Радиус представленных устройств – от 1 до 3 мкм. Минимальное значение пороговой энергии лазерной генерации было достигнуто для микролазера радиусом 1 мкм и составило 8.8 пДж, а добротность резонатора этого микролазера была оценена как не менее 1000. Продемонстрированные устройства относится к числу наиболее коротковолновых реализаций микродисковых лазеров на технологически значимой сапфировой платформе.

Полученные результаты показывают высокий потенциал AlGaN-микролазеров для практических применений в UV-C диапазоне. Сочетание низкого порога генерации при комнатной температуре и технологии изготовления, совместимой с планарными процессами, делает такие структуры перспективными для создания компактных источников когерентного излучения, фотонных чипов, сенсоров и систем ультрафиолетовой связи.