В НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург состоялся совместный научный семинар с участием исследователей ЮФУ

26 мая 2026 года в НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург прошел совместный семинар сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники и лаборатории эпитаксиальных технологий Южного федерального университета.

Мероприятие состоялось в рамках проекта «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования», реализуемого научными коллективами НИУ ВШЭ и ЮФУ по программе «Зеркальные лаборатории».

Участники обсудили ход выполнения проекта, текущие результаты совместных исследований, подготовку публикаций и дальнейшие экспериментальные планы. С докладом по общим вопросам реализации проекта выступила заведующая Международной лабораторией квантовой оптоэлектроники Наталья Владимировна Крыжановская.

Никита Андреевич Шандыба, младший научный сотрудник лаборатории эпитаксиальных технологий ЮФУ, представил результаты исследований селективного роста оптически активных массивов нитевидных нанокристаллов арсенида галлия на ФИП-модифицированных подложках кремния. В докладе также обсуждалось влияние пассивации поверхности SiO2 на их оптические свойства.

Старший научный сотрудник Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники Иван Сергеевич Махов рассказал о пассивации микродисковых лазеров с напряженными квантовыми ямами InGaAsN/GaAs методом плазмохимического осаждения SiO2. Было показано, что такая пассивация позволяет более чем в два раза снизить пороговые токи микролазеров без ухудшения их температурной стабильности.

Завершилось мероприятие общей дискуссией. Участники обсудили дальнейшие совместные исследования, включая пассивацию нитевидных нанокристаллов и микродисковых лазеров, модификацию резонаторов фокусированным ионным пучком, а также подготовку совместных научных публикаций.