Опубликована статья сотрудников лаборатории под названием “Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии”

9 февраля в журнале “Письма в журнал технической физики” опубликована научная статья сотрудников лаборатории под названием “Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии”.

В работе было проведено исследование субмикронных нановключений InAsP/InP с помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции. Наноструктуры были получены методом селективного эпитаксиального роста А3В5 на кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы (molten alloy driven selective-area growth, MADSAG). Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77−290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 µm. Исследованные структуры впоследствии могут быть использованы для создания источников одиночных фотонов.