Новые публикации МЛКО в научных журналах
22 и 18 апреля в журналах Journal Physics D: Applied Physics (Q2) и Journal of Luminescence (Q2) опубликованы научные работы сотрудников лаборатории.
В статье под названием “Effect of non-uniform carrier injection on two-state lasing in quantum dot microdisks with split electrical contact”, опубликованной в Journal Physics D: Applied Physics, исследовались особенности двухуровневой лазерной генерации в инжекционных микродисковых лазерах с квантовыми точками InAs/InGaAs, которые имели сегментированный верхний электрический контакт, сформированный при помощи травления сфокусированным ионным пучком в лаборатории эпитаксиальных технологий Южного федерального университета (ЮФУ).
Обнаружено влияние площади электрического контакта на пороговые токи двухуровневой лазерной генерации в микродисках. В частности, уменьшение площади прокачиваемого током электрического контакта приводит к уменьшению порогового тока лазерной генерации через возбужденное состояние квантовых точек, в то время как пороговый ток лазерной генерации через основное состояние практически не изменяется. В результате использование электрических контактов различной площади позволяет управлять пороговыми токами двухуровневой генерации микролазеров с квантовыми точками, которые могут использоваться для реализации многоуровневой передачи данных в оптоэлектронных интегральных схемах со спектральным кодированием.
22 апреля в журнале Journal of Luminescence также была опубликована совместная научная работа сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники и Лаборатории эпитаксиальных технологий ЮФУ с названием “Role of arsenic vapor pressure in transformation of InAs quantum dots during overgrowth by a GaAs capping layer”.
В работе представлены результаты исследования оптических свойств самоорганизующихся InAs квантовых точек (КТ), зарощенных слоем GaAs при различных давлениях мышьяка. Показано, что давление мышьяка при заращивании оказывает значительное влияние на геометрические параметры и излучательные характеристики квантовых точек. Заращивание КТ в дефиците мышьяка приводит к появлению множества пиков излучения в коротковолновой части спектра люминесценции КТ. При заращивании в избыточном давлении мышьяка КТ демонстрируют одиночный пик люминесценции, сдвинутый в длинноволновую область спектра. При этом наиболее длинноволновое излучение КТ может быть получено при среднем (оптимальном) давлении мышьяка. Результаты исследования позволяют расширить понимание процессов, проходящих при росте квантовых точек, и усовершенствовать технологию создания массивов квантовых точек для использования в высокоэффективных оптоэлектронных устройствах.