Учёные-физики выиграли стипендию Президента РФ и грант комитета по науке и высшей школе

Объявлены победители стипендиального конкурса Президента РФ и получатели субсидий от Комитета по науке и высшей школе Санкт-Петербурга. В их число вошли исследователи из Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники.

iStock

Стипендию Президента Российской Федерации получил Эдуард Ильмирович Моисеев, научный сотрудник лаборатории. Его исследование посвящено  быстродействию интегрированных с кремниевым чипом высокоэффективных А3В5 микролазеров с квантоворазмерной активной областью. Во время работы над исследованием учёный будет ежемесячно получать стипендию в размере 22 800 рублей.

Грант для молодых исследователей от Комитета по науке и высшей школе Санкт-Петербурга получили два научных сотрудника Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники — Иван Сергеевич Махов и Эдуард Ильмирович Моисеев. Ивану Сергеевичу назначена поддержка в размере 150 тысяч рублей, а Эдуарду Эльмировичу — 100 тысяч рублей.

Эдуард Ильмирович Моисеев, научный сотрудник Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Комитет по науке и высшей школе поддержал проект по исследованию термического сопротивления и спектральных характеристик микролазеров. Эти лазеры были интегрированы с кремниевым чипом с помощью термокомпрессионной сварки. В результате исследования было показано, что интеграция таким методом значительно снижает тепловое сопротивление, увеличивает максимальную оптическую мощность и снижает энергопотребление микролазеров, которые могут быть использованы в системах хранения и обработки данных, квантовых вычислений и искусственного интеллекта.

Поскольку характеристики устройств заметно улучшились, мы решили исследовать быстродействие таких микролазеров. Этому посвящен второй проект.  

Поддержанное Комитетом по науке и высшей школе исследование уже завершено, а средства гранта потрачены на закупкуоборудования. Для выполнения второго проекта мне назначена стипендия Президента РФ на 2022–2024 годы.

Иван Сергеевич Махов, научный сотрудник Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники

Грант Комитета по науке и высшей школе пошёл на приобретение недостающего оборудования и расходных материалов для исследования. Проект носит фундаментальный характер и посвящен изучению эффекта увлечения фотонов током электронов в наногетероструктурах с множественными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. Проект выполнен совместно с Санкт-Петербургским политехническим университетом Петра Великого.

В проекте нам удалось впервые экспериментально обнаружить и исследовать эффект увлечения фотонов током двумерных электронов в наноструктурах с квантовыми ямами в инфракрасной области спектра. В основу легла оригинальная экспериментальная методика, которая базируется на использовании интерферометра Маха-Цендера и лазера на углекислоте. Благодаря этому мы получили зависимость величины изменения показателя преломления от плотности тока в квантовых ямах для различных длин волн и поляризации излучения CO2‑лазера. Нами показано, что эффект зависит от взаимного направления волнового вектора света и направления тока через наноструктуру с квантовыми ямами. Полученные результаты могут быть использованы в дальнейшем для разработки модуляторов инфракрасного излучения.