Научный семинар в рамках программы «Международное академическое сотрудничество»

Состоялся научный семинар по результатам оптических исследований проведенных в НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург в рамках проекта «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов»

18 декабря 2024 года состоялся совместный онлайн-семинар, организованный Международной лабораторией квантовой оптоэлектроники Санкт-Петербургской школы физико-математических и компьютерных наук НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург и Институтом физики им. Б.И. Степанова, НАН Белоруссии в рамках программы «Международное академическое сотрудничество» (Academic Cooperation) НИУ ВШЭ.

 На семинаре Надточий А. М. представил результаты исследования эпитаксиальных гетероструктур с квантовой ямой InGaN/GaN на сапфировой подложке методом времяразрешенной фотолюминесценции, а Моисеева Э. И. – результаты исследований оптических свойств III-N оптических III-N микролазеров на кремнии. Все исследования проходили на базе Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ – Санкт-Петербург.

В ходе обсуждения полученных результатов участники семинара:

• Сделали вывод об оптимальном дизайне эпитаксиальной гетероструктуры с квантовыми ямами InGaN/GaN для создания микролазеров с оптической накачкой на сапфировой подложке.
• Выбрали оптимальный метод создания микродисковых лазеров из эпитаксиальной гетероструктуры на кремниевой подложке.
• Составили план дальнейшего расширения охватываемых диапазонов излучения для III-N микродисковых лазеров.

 Мероприятие способствовало обмену опытом между российскими и белорусскими исследовательскими учреждениями и позволило оптимизировать конструкцию и технологию производства III-N микролазеров. Видеозапись семинара доступна для просмотра и скачивания.