Публикации

Современные нанотехнологии давно нашли свое место в области лазерных и светоизлучающих структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники, а также в других областях науки и технологии. Одним из наиболее ярких примеров применения нанотехнологий является развития микропроцессорной техники, где за несколько последних десятилетий топологический размер затворов транзисторов уменьшился с единиц микрометров до единиц нанометров. Это привело к значительному увеличению их быстродействия, увеличению плотности расположения в интегральной схеме и к снижению энергопотребления. Для создания функциональных наноструктур нового поколения требуется дальнейшее развитие постростовых методов на основе новых технологий, новых материалов и подходов, а также подготовки высококвалифицированных специалистов в этой области. В данном пособии рассматриваются наиболее распространенные методы создания микро- и наноструктур с упором на применение в области микро- и наноэлектроники. В пособии разбираются основы полупроводниковых нанотехнологий, в том числе и в привязке к современным транзисторным структурам. Отдельное внимание уделено различным методам оптической литографии, а также факторам, влияющим на ее пространственное разрешение. Выявлены области применения и рассмотрены фундаментальное ограничения фотолитографии при создании наноструктур в условиях исследовательской лаборатории. Представлено детальное обсуждение электронной литографии, используемой для создания наноструктур с пространственным разрешением менее 10 нм. Кроме того, в пособии приводится углубленный анализ возможностей и ограничений литографических методов экспонирования резистов и визуализации получившихся наноструктур с применением пучков заряженных частиц на непроводящих подложках. Последняя глава посвящена обзору физико-технических основ и приборной реализации методов газофазного осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев на кремниевых подложках. Представленное пособие является методическим материалом, предназначенным бакалаврам старших курсов и магистрам, проходящим обучение по таким направлениям и профилям, как: «Физика и техника полупроводников», «Физическая электроника», «Физические принципы аналитического приборостроения», «Физика нанотехнологий и наноразмерных структур», «Радиофизика и электроника», «Физическая оптика и квантовая электроника» и др.

The Maimonidean Controversy at the beginning of the 13th century was one of the most significant conflicts in the midst of the Jewish diasporas in the Middle Ages. The conflict followed a vivid discussion on the treatises of Maimonides and the interpretation of Judaism in the light of Aristotelian philosophy. Almost all of major Jewish communities in Europe were drawn in this conflict. Moreover, at some point the conflict expanded outside of the Jewish world, so that some works of Maimonides were burnt by the Christian Inquisition as heretical books. Despite the significance of these events and the trace left in the memory of the Jewish people, there is not much reliable evidence about them. The authors aim to discuss the history of this conflict, focusing on the problematic aspects of the Maimonides' teaching, and to make a reconstruction of the events occurred, to provide a specification of main characteristics of the conflict interaction (the players, their strategies and preferences, possible outcomes of the conflict, conflict dynamics, etc.), to design a game-theoretical model of the social conflict under consideration and to explore this model using the methods of mathematical game theory. It turns out that the majority of the players' actions correspond to optimal behavior concepts employed in game theory (bargaining solutions, Pareto efficiency, Nash equilibria). However, some actions obviously contradict the concept of rational behavior (one of the fundamental assumptions in mathematical game theory), and namely these actions induced the conflict escalation and such a tragic outcome.

Представлены аналитические выражения и с их помощью выполнен анализ компонент электрического сопротивления инжекционных микродисковых лазеров в зависимости от размера микродискового резонатора, параметров подложки и геометрии расположения контакта к ней