• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Новости

Иллюстрация к новости: Научный семинар в рамках программы «Зеркальные лаборатории»

Научный семинар в рамках программы «Зеркальные лаборатории»

Возобновление академического сотрудничества коллективов лабораторий эпитаксиальных технологий (ЮФУ) и междунардоной лаборатории квантовой оптоэлектроники в рамках проекта "Зеркальные лаборатории"

В 2025 году НИУ ВШЭ была поддержана заявка на продолжение совместного научного исследования в 2025-2027 годах с новым названием проекта «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования».

Иллюстрация к новости: Новая работа в журнале Optical Materials в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".

Новая работа в журнале Optical Materials в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".

9 апреля в журнале "Optical Materials" опубликована новая статья сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ и коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ — Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate.

Иллюстрация к новости: Опубликована новая работа в журнале Applied Surface Science в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".

Опубликована новая работа в журнале Applied Surface Science в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".

10 января в журнале Applied Surface Science опубликована статья сотрудников лаборатории "New way to nanopattern GaAs surface for subcritical formation of InAs quantum dots" совместно с нашими коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ.