Опубликована статья: "Ordered GaAs NW growth on Si(111) substrates modified by two-step FIB treatment" в журнале "Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки".
11 декабря в журнале "Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки" опубликована новая статья сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ и коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ "Ordered GaAs NW growth on Si(111) substrates modified by two-step FIB treatment".
Опубликована статья "Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces" в журнале "Applied Surface Science".
15 августа в журнале "Applied Surface Science" опубликована новая статья сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ и коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ "Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces". Соавторами со стороны ВШЭ стали И.С. Махов, Н.В. Крыжановская и А.Е. Жуков.
Проведены совместные исследовательские работы сотрудников ВШЭ в лаборатории эпитаксиальных технологий ЮФУ.
В рамках проекта «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования» Зеркальных лабораторий, с 31.05.2025 по 07.06.2025 состоялся визит сотрудников НИУ ВШЭ к партнерам в Таганрог в рамках проведения совместных исследовательских работ.
