• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Тема «репортаж о событии»

Иллюстрация к новости: Встреча рабочей группы Зеркальных лабораторий на ХХХ симпозиуме "Нанофизика и наноэлектроника"

Встреча рабочей группы Зеркальных лабораторий на ХХХ симпозиуме "Нанофизика и наноэлектроника"

Состоялась встреча участников проекта Зеркальных лабораторий на ХХХ симпозиуме "Нанофизика и наноэлектроника", который проходил в Нижнем Новгороде 9-13 марта 2026 года.

Иллюстрация к новости: Проведены совместные исследовательские работы сотрудников ВШЭ в лаборатории эпитаксиальных технологий ЮФУ.

Проведены совместные исследовательские работы сотрудников ВШЭ в лаборатории эпитаксиальных технологий ЮФУ.

В рамках проекта «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования» Зеркальных лабораторий, с 31.05.2025 по 07.06.2025 состоялся визит сотрудников НИУ ВШЭ к партнерам в Таганрог в рамках проведения совместных исследовательских работ.

Иллюстрация к новости: Научный семинар в рамках программы «Зеркальные лаборатории»

Научный семинар в рамках программы «Зеркальные лаборатории»

Иллюстрация к новости: Новая работа в журнале Optical Materials в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".

Новая работа в журнале Optical Materials в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".

9 апреля в журнале "Optical Materials" опубликована новая статья сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ и коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ — Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate.


12