Проведены совместные исследовательские работы сотрудников ВШЭ в лаборатории эпитаксиальных технологий ЮФУ.
В рамках проекта «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования» Зеркальных лабораторий, с 31.05.2025 по 07.06.2025 состоялся визит сотрудников НИУ ВШЭ к партнерам в Таганрог в рамках проведения совместных исследовательских работ.
Новая работа в журнале Optical Materials в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".
9 апреля в журнале "Optical Materials" опубликована новая статья сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ и коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ — Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate.
Опубликована новая работа в журнале Applied Surface Science в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".
10 января в журнале Applied Surface Science опубликована статья сотрудников лаборатории "New way to nanopattern GaAs surface for subcritical formation of InAs quantum dots" совместно с нашими коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ.