Возобновление академического сотрудничества коллективов лабораторий эпитаксиальных технологий (ЮФУ) и междунардоной лаборатории квантовой оптоэлектроники в рамках проекта "Зеркальные лаборатории"
В 2025 году НИУ ВШЭ была поддержана заявка на продолжение совместного научного исследования в 2025-2027 годах с новым названием проекта «Источники оптического излучения на основе квантово-размерных структур А3В5 для интегральной оптоэлектроники: исследование физических явлений, разработка конструкции и методов формирования».
Новая работа в журнале Optical Materials в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".
9 апреля в журнале "Optical Materials" опубликована новая статья сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ и коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ — Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate.
Опубликована новая работа в журнале Applied Surface Science в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".
10 января в журнале Applied Surface Science опубликована статья сотрудников лаборатории "New way to nanopattern GaAs surface for subcritical formation of InAs quantum dots" совместно с нашими коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ.
Опубликована статья "Effect of non-uniform carrier injectionon two-state lasing in quantum dotmicrodisks with split electrical contact" в журнале "Journal of Physics D: Applied Physics" коллективом авторов "Зеркальных лабораторий"
Статья описывает новый подход к управлению пороговыми характеристиками лазеров со сложно модифицированным электрическим контактом и с активной областью на основе InGaAs квантовых точек, которые имеют двухуровневую генерацию.