Опубликована статья: "Ordered GaAs NW growth on Si(111) substrates modified by two-step FIB treatment" в журнале "Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки".

11 декабря в журнале "Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Физико-математические науки" опубликована новая статья сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ и коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ "Ordered GaAs NW growth on Si(111) substrates modified by two-step FIB treatment".

В работе впервые было продемонстрировано селективное формирование упорядоченныхмассивов вертикальных нитевидных нанокристаллов GaAs на подложках Si(111) с собственным оксидом, модифицированных путем двухэтапной обработки поверхности ионным пучком Ga+. Оптимизация доз и расстояния между точками воздействия ионного пучка позволяет получать одиночные вертикальные нитевидные нанокристаллы GaAs, демонстрирующие интенсивную фотолюминесценцию при комнатной температуре.

 

Со статьей можно ознакомиться скачав сборник по ссылке: https://physmath.spbstu.ru/issue/82/