Опубликована статья "Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces" в журнале "Applied Surface Science".

15 августа в журнале "Applied Surface Science" опубликована новая статья сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ и коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ "Fundamental difference in the mechanisms of transformation of InAs nanostructures due to indium segregation on flat and patterned GaAs surfaces". Соавторами со стороны ВШЭ стали И.С. Махов, Н.В. Крыжановская и А.Е. Жуков.

В статье исследуется, как поведение атомов индия при росте влияет на формирование и свойства наноструктур InAs на подложках GaAs — как обычных, так и предварительно наноструктурированных. Показано, что при одинаковых условиях осаждения атомы индия ведут себя по-разному в зависимости от рельефа поверхности. На неструктурированных подложках быстрое заращивание защитным GaAs слоем помогает сохранить форму и состав квантовых точек, а медленное — вызывает их деформацию и смещение спектра фотолюминесценции. На подложках с предварительно созданным рельефом, наоборот, ускоренное заращивание приводит к уменьшению размеров квантовых точек из-за ограниченного транспорта атомов, что смещает максимум интенсивности фотолюминесценции в более коротковолновую спектральную область. Также была продемонстрирована возможность создания редких массивов квантовых точек InAs/GaAs, излучающих до 1100 нм без образования смачивающего слоя.

Статья доступна для ознакомления по ссылке: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2025.163211