• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Опубликована новая работа в журнале Applied Surface Science в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".

10 января в журнале Applied Surface Science опубликована статья сотрудников лаборатории "New way to nanopattern GaAs surface for subcritical formation of InAs quantum dots" совместно с нашими коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ.

Опубликована новая работа в журнале Applied Surface Science в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".

В свежей работе, сделанной совместно с коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий ЮФУ, предложен новый и относительно простой метод получения структурированных эпитаксиальных подложек , которые могли бы использоваться для получения низкоплотных квантовых точек. Сегодня такие квантовые точки низкой (менее 1 на квадратный микрометр) плотности являются основой для создания источников одиночных и запутанных фотонов – ключевых элементов систем квантовых коммуникаций и оптических квантовых вычислений.

Коллеги из ЮФУ обратили внимание, что на этапе предростовой подготовки поверхности подложки, а именно деоксидирования поверхности, происходит образование ограненных ямок, первыми проанализировали физику этого процесса и показали, что этим процессом можно управлять. Изменяя температуру подложки и давление паров мышьяка, а также толщину оксидной пленки, можно регулировать размер и форму создаваемых углублений, а также шероховатость поверхности.

Статья опубликована в Q1 журнале Applied Surface Science (IF = 6.3).