Новая работа в журнале Optical Materials в рамках проекта "Зеркальные лаборатории".

9 апреля в журнале "Optical Materials" опубликована новая статья сотрудников Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ и коллегами из лаборатории эпитаксиальных технологий в ЮФУ — Optimal As/Ga flux ratio for low-temperature overgrowth of InAs quantum dots dependent on the GaAs overgrowth rate.

Авторы работы исследуют, как добиться более высокого качества полупроводниковых наноструктур — квантовых точек InAs — при их заращивании слоем GaAs. Исследование показывает, что важную роль играет соотношение между потоками элементов мышьяка и галлия. Оптимальное соотношение потоков As/Ga зависит от скорости заращивания и варьируется от ∼2 до ∼4 . При этом для результирующих оптических характеристик квантовых точек важно не только соотношение потоков прекурсоров, но и скорость осаждения GaAs в процессе их заращивания. Длина волны максимума излучения квантовых точек, а так же величина интенсивности излучения зависят от этой скорости. Такой подход позволяет значительно улучшить структуру покрытия и предсказать оптические свойства получаемых полупроводниковых структур.

Результаты работы могут быть полезны для дальнейшей разработки лазеров, детекторов и других устройств на основе квантовых точек, в которых особенно важны стабильные оптические свойства.