Опубликована статья "Effect of non-uniform carrier injectionon two-state lasing in quantum dotmicrodisks with split electrical contact" в журнале "Journal of Physics D: Applied Physics" коллективом авторов "Зеркальных лабораторий"
Статья описывает новый подход к управлению пороговыми характеристиками лазеров со сложно модифицированным электрическим контактом и с активной областью на основе InGaAs квантовых точек, которые имеют двухуровневую генерацию.
Путем изменения площади электрического контакта на верхней поверхности лазера можно значительно понизить пороговые токи, необходимые для запуска генерации, особенно при генерации на возбужденных уровнях. Этот эффект основан на неравномерном распределении носителей через разные области контакта, что ведет к образованию зон повышенных потерь и влиянию на пороговые значения токов генерации лазеров. Точный контроль режима двухуровневой генерации в микродисковых лазерах, может уменьшить энергозатраты на переключение между состояниями. Эта технология может быть полезна для создания более сложных оптических систем передачи данных.
Статья подготовлена в рамках проекта зеркальной лаборатории "Создание и исследование полупроводниковых гетероструктур А3В5 с квантовыми точками для нанофотоники, излучателей одиночных фотонов, микро- и нанолазеров".
Ссылка на статью на сайте издателя.