Опубликованные статьи

За время выполнения проекта были опубликованы следующие статьи.

1. «Output Power of III-V Injection Microdisk and Microring Lasers» (2025) от международного коллектива авторов Kryzhanovskaya N.V. et al. в журнале IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics.

В статье идет речь о лазерах на основе мод шепчущей галлереи (МШГ). Они интересны не только благодаря своим малым размерам, но и вследствии высокой чувствительности к показателю преломления окружающей среды, что позволяет создавать сенсоры на микролазерах, а так же возможности исследования квантового хаоса.Однако, малые потери на выход излучения в высокодобротных резонаторах могут свести на нет практические преимущества лазера. В этом обзоре были обобщены опубликованные данные о достигнутой оптической выходной мощности в различных инжекционных III-V микролазерах и проанализированы ключевые характеристики, ограничивающие максимальную выходную мощность, в частности влияние саморазогрева активной области при работе микролазера в режиме непрерывной накачки и затрудненного вывода света из резонаторов на основе МШГ. Также сравнивались различные материалы AIII-BV и методы изготовления, разработанные для улучшения выходной мощности излучения микролазеров на основе МШГ.

DOI: 10.1109/JSTQE.2024.3450812

2. «Исследование утечки мод в подложку в микродисковых лазерах» (2024), статья коллектива авторов Мельниченко И.А. et al. в журнале St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics.

Экспериментально и с помощью моделирования исследовано распространение мод шепчущей галереи дискового лазера с квантово-точечной инжекцией в подложке GaAs. Для микролазера диаметром 50 мкм с облицовками из Al_0.4Ga_0.6As толщиной 1,5 мкм интенсивность моды, просачивающейся в подложку, может составлять до 10^-3 от интенсивности лазерной моды в волноводе.

DOI: 10.18721/JPM.173.242

3. «Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии» (2025) от международного коллектива авторов Моисеев Э.И. и др. в журнале Письма в ЖТФ

В работе продемонстрирована лазерная генерация в микродисковых резонаторах InGaN/GaN/AlGaN, созданных на кремниевой подложке. В созданных компактных (5-8 мкм) оптических микролазерах получена лазерная генерация при комнатной температуре с пороговой плотностью мощности накачки ~1.4 МВт/см^-2. Это стало возможно благодаря использованию ступенчатых буферных слоев AlN/AlGaN, обеспечивающих эффективное оптическое ограничение активной области (Γ ~4.2 %) и высокое кристаллическое качество эпитаксиальных слоев структуры. В работе также продемонстрировано, что лазерная генерация происходит на модах шепчущей галереи, а также что происходит сдвиг длины волны генерации от 406 до 425 нм за счет уменьшения оптических потерь лазера при увеличении его диаметра.

DOI: 10.61011/PJTF.2025.11.60487.20298