We use cookies in order to improve the quality and usability of the HSE website. More information about the use of cookies is available here, and the regulations on processing personal data can be found here. By continuing to use the site, you hereby confirm that you have been informed of the use of cookies by the HSE website and agree with our rules for processing personal data. You may disable cookies in your browser settings.

  • A
  • A
  • A
  • ABC
  • ABC
  • ABC
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Regular version of the site

Spintronics

2021/2022
Academic Year
RUS
Instruction in Russian
5
ECTS credits
Delivered at:
Department of Physics
Course type:
Elective course
When:
2 year, 1, 2 module

Программа дисциплины

Аннотация

Дисциплина направлена на приобретение обучающимися знаний, умений и навыков в области спиновых явлений в твердых телах, полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах. Исследование таких эффектов вылилось в последние годы в формирование отдельной области современной физики конденсированного состояния — спинтроники. Задача курса – расширить кругозор слушателей, познакомив их с одним из прорывных и наиболее популярных направлений современной физики. Для освоения дисциплины студенты должны владеть основными понятиями и методами квантовой теории (в том числе релятивистской), теории конденсированных сред, физики низкоразмерных систем и оптики полупроводников.
Цель освоения дисциплины

Цель освоения дисциплины

  • Ознакомление студентов с основами спин-зависимых явлений в различных объектах на основе конденсированных сред, включая низкоразмерные структуры и магнитные наноструктуры.
Планируемые результаты обучения

Планируемые результаты обучения

  • Знание метода учета вкладов Рашбы и Дрессельхауза в эффективный гамильтониан. Знание основных механизмов проявления спин-орбитального взаимодействия в полупроводниках.
  • Знание методов инжекции спинов из ферромагнетика. Знание механизмов возникновения спин-зависимого туннелирования. Знание механизмов спинового транспорта в магнетиках.
  • Знание основных механизмов спиновой релаксации свободных носителей заряда в полупроводниковых материалов: механизмы Эллиота-Яфета и Дьяконова-Переля.
  • Знание теоретических основ спинового эффекта Фарадея. Знание теоретических основ и аппаратной реализации метода “накачка-зондирование” (pump-probe)
  • Знание теоретических основ эффекта Мотта. Знание основных механизмов ориентации спинов электрическим током. Знание понятий спиновых токов в полупроводниковых материалах, сопоставление спиновых токов и электрических. Знание микроскопических механизмов возникновения спиновых токов в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах.
  • Знание теории спиновых биений электронов в магнитном поле. Знание условий возникновения электронного парамагнитного (спинового) резонанса, электронного дипольного спинового резонанса. Знание теоретических основ классических методов изучения спиновой динамики электронов и ядер. Знание теоретических основ эффекта Ханле. Знание теоретических основ метода исследования характерных релаксационных времен носителей заряда на основе поляризованной люминесценции излучения.
  • Знание экспериментальных методик измерения поляризованной люминесценции для исследования времен спиновой релаксации в полупроводниках. Умение определять время жизни носителя и время спиновой релаксации на основании экспериментов по эффекту Ханле. Умение проводить оценки времен спиновой релаксации в полупроводниках на основании поляризованного излучения. Владение математическими методами моделирования времен спиновой релаксации в полупроводниках.
  • нание основ теории обменного взаимодействия между электронами. Знание основных положений и понятий ферромагнетизма. Знание полупроводникового класса магнитных материалов - разбавленные магнитные полупроводники. Знание понятий объемной, структурной и интерфейсной асимметрии.
  • спинов локализованных носителей. Знание теоретических основ эффекта Оверхаузера. Знание основных явлений, связанных со взаимодействием ядерной и электронной спиновых систем в полупроводниках. Знание понятия слабой антилокализации Знание теоретических основ эффекта Шубникова – де Гааза.
Содержание учебной дисциплины

Содержание учебной дисциплины

  • Тема 1. Введение в магнетизм.
  • Тема 2. Спин-орбитальное взаимодействие в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах.
  • Тема 3. Спиновое расщепление энергетического спектра в магнитном поле.
  • Тема 4. Оптическая ориентация электронных спинов.
  • Тема 5. Спиновый эффект Фарадея и метод накачка-зондирование.
  • Тема 6. Спиновая релаксация свободных носителей заряда. Спиновые флуктуации.
  • Тема 7. Ориентация спинов электрическим током, спин-гальванический эффект.
  • Тема 8. Спиновый транспорт в магнитных системах, гигантское магнитосопротивление.
  • Тема 9. Сверхтонкое взаимодействие электронных и ядерных спинов.
Элементы контроля

Элементы контроля

  • неблокирующий контрольная работа
  • блокирующий экзамен
Промежуточная аттестация

Промежуточная аттестация

  • 2021/2022 учебный год 1 модуль
    0.5 * экзамен + 0.5 * контрольная работа
  • 2021/2022 учебный год 2 модуль
    0.5 * контрольная работа + 0.5 * экзамен
Список литературы

Список литературы

Рекомендуемая основная литература

  • Claudia Felser, & Gerhard H Fecher. (2013). Spintronics : From Materials to Devices. Springer.

Рекомендуемая дополнительная литература

  • Waser, R., Schneider, C. M., Morgenstern, M., Bürgler, D., & Blügel, S. (2009). Spintronics - from GMR to quantum information : lecture notes of the 40th spring school 2009. Forschungszentrum, Zentralbibliothek.

Авторы

  • Шендерович Игорь Евгеньевич