Иванов Сергей Викторович
- Заведующий кафедрой, Профессор:НИУ ВШЭ в Санкт-Петербурге / Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук / Базовая кафедра ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Начал работать в НИУ ВШЭ в 2020 году.
- Научно-педагогический стаж: 3 года.
Образование, учёные степени и учёные звания
- 2012Ученое звание: Профессор
- 2000Доктор физико-математических наук: Высшая аттестационная комиссия
- 1989Кандидат физико-математических наук: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
- 1983
Специалитет: Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина), специальность «Оптико-электронные приборы и системы», квалификация «Инженер-электрик»
Дополнительное образование / Повышение квалификации / Стажировки
«Возможности электронной информационно-образовательной среды университета. Электронное обучение, ЭБС и ИКТ в управлении образовательным процессом» – 2020 г.
Достижения и поощрения
- Орден "За заслуги перед Отечеством" II степени (февраль 2024)
Надбавка за публикацию в международном рецензируемом научном издании (2021-2022)
Учебные курсы (2023/2024 уч. год)
- Проектный семинар "Физика твёрдого тела" (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 4-й курс, 3 модуль)Рус
- Проектный семинар "Физика твёрдого тела" (Бакалавриат; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 3-й курс, 3 модуль)Рус
- Архив учебных курсов
Учебные курсы (2021/2022 уч. год)
Научно-исследовательский семинар (Магистратура; где читается: Санкт-Петербургская школа физико-математических и компьютерных наук; 2-й курс, 2, 3 модуль)Рус
Публикации65
- Статья Rakhlin M., Klimko G., Sorokin S., Kulagina M., Zadiranov Y., Kazanov D., Shubina T., Toropov A., Ivanov S. Bright Single-Photon Sources for the Telecommunication O-Band Based on an InAs Quantum Dot with (In)GaAs Asymmetric Barriers in a Photonic Nanoantenna // Nanomaterials. 2022. Vol. 12. No. 9. Article 1562. doi
- Статья Александров Е., Андреев А., Гальперин Ю., Гуляев Ю., Забродский А., Иванов С. В., Ивченко Е., Каплянский А., Парфеньев Р., Сурис Р., Хмельницкий Д., Щербаков И. Памяти Вадима Львовича Гуревича // Успехи физических наук. 2022. Т. 192. № 2. С. 229-230. doi
- Статья Rakhlin M., Sorokin S., Kazanov D., Sedova I., Shubina T., Ivanov S., Mikhailovskii V., Toropov A. Bright single-photon emitters with a cdse quantum dot and multimode tapered nanoantenna for the visible spectral range // Nanomaterials. 2021. Vol. 11. No. 4. P. 1-10. doi
- Статья Pobat D., Solov'ev V., Chernov M., Ivanov S. Distribution of Misfit Dislocations and Elastic Mechanical Stresses in Metamorphic Buffer InAlAs Layers of Various Constructions // Physics of the Solid State. 2021. Vol. 63. No. 1. P. 84-89. doi
- Статья Jmerik V., Toropov A., Davydov V., Ivanov S. Monolayer-Thick GaN/AlN Multilayer Heterostructures for Deep-Ultraviolet Optoelectronics // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 2021. Vol. 15. No. 9. Article 2100242. doi
- Статья Jmerik V., Nechaev D., Orekhova K., Prasolov N., Kozlovsky V., Sviridov D., Zverev M., Gamov N., Grieger L., Wang Y., Wang T., Wang X., Ivanov S. Monolayer-scale gan/aln multiple quantum wells for high power e-beam pumped uv-emitters in the 240–270 nm spectral range // Nanomaterials. 2021. Vol. 11. No. 10. Article 2553. doi
- Статья Mundry J., Spreyer F., Jmerik V., Ivanov S., Zentgraf T., Betz M. Nonlinear metasurface combining telecom-range intersubband transitions in GaN/AlN quantum wells with resonant plasmonic antenna arrays // Optical Materials Express. 2021. Vol. 11. No. 7. P. 2134-2144. doi
- Статья Koshelev O., Nechaev D., Brunkov P., Ivanov S., Jmerik V. Stress control in thick AlN/c-Al2O3 templates grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy // Semiconductor Science and Technology. 2021. Vol. 36. No. 3. Article 035007. doi
- Статья Александров Е. Б., Андреев А. Ф., Архипов М. В., Захаров В. Е., Зеленый Л. М., Иванов С В, Ивченко Е. Л., Питаевский Л. П., Садовский М. В., Сурис Р. А., Шалагин А. М., Щербаков И. А. Николай Николаевич Розанов (к 80-летию со дня рождения) // Успехи физических наук. 2021. Т. 191. С. 445-446. doi
- Статья Ячменев А., Лаврухин Д., Хабибуллин Р., Гончаров Ю., Спектор И., Зайцев К., Соловьев В., Иванов С. В., Пономарев Д. Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах // Оптика и спектроскопия. 2021. Т. 129. № 6. С. 741-746. doi
- Статья Atanov N., Davydov Y., Glagolev V., Tereshchenko V., Nechaev D. V., Ivanov S., Jmerik V. N. A Photomultiplier With an AlGaN Photocathode and Microchannel Plates for BaF2 Scintillator Detectors in Particle Physics // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2020. Vol. 67. No. 7. P. 1760-1764. doi
- Статья Grossi D., Koelling S., Yunin P., Koenraad P. M., Klimko G., Sorokin S., Drozdov M., Ivanov S., Toropov A., Silov A. Design and Characterization of a Sharp GaAs/Zn(Mn)Se Heterovalent Interface: A Sub-Nanometer Scale View // Nanomaterials. 2020. No. 10. P. 1-11. doi
- Статья Kalinovskii V., Kontrosh E., Klimko G., Ivanov S., Yuferev V., Ber B., Kazantsev D., Andreev V. Development and Study of the p–i–n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation // Semiconductors. 2020. Vol. 54. P. 355-361. doi
- Статья Chernov M., Solov`ev V., Komkov O., Firsov D., Andreev A., Sitnikova A., Ivanov S. Effect of design and stress relaxation on structural, electronic, and luminescence properties of metamorphic InAs(Sb)/In(Ga,Al)As/GaAs mid-IR emitters with a superlattice waveguide // Journal of Applied Physics. 2020. Vol. 127. No. 12. P. 1-6. doi
- Статья Nechaev D. V., Koshelev O., Ratnikov V., Brunkov P., Myasoedov A., Sitnikova A., Ivanov S., Jmerik V. N. Effect of stoichiometric conditions and growth mode on threading dislocations filtering in AlN/c-Al2O3 templates grown by PA MBE // Micro and Nanostructures. 2020. Vol. 138. P. 1-8. doi
- Глава книги S.V. Ivanov. Lasers and Zhores Alferov`s heterostructures: past, current, and future, in: PROCEEDINGS - INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS 2020, ICLO 2020. St. Petersburg : IEEE, 2020. doi Ch. 1. doi
- Статья Minkov G., Rut О., Sherstobitov A., Dvoretski S., Mikhailov N., Soloviev V., Chernov M., Ivanov S., Germanenko A. Magneto-intersubband oscillations in two-dimensional systems with an energy spectrum split due to spin-orbit interaction // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2020. Vol. 101. No. 24. P. 1-7. doi
- Статья Sorokin S., Avdienko P., Sedova I., Kirilenko D., Davydov V., Komkov O., Firsov D., Ivanov S. Molecular Beam Epitaxy of Layered Group III Metal Chalcogenides on GaAs(001) Substrates // Materials. 2020. No. 13. P. 1-29. doi
- Статья Vinnichenko M. Y., Fedorov A. D., Kharin N. Y., Panevin V. Y., Firsov D. A., Nechaev D. V., Ivanov S., Jmerik V. N. Near-infrared optical absorption in GaN/AlN quantum wells grown by molecular-beam epitaxy // Journal of Physics: Conference Series. 2020. Vol. 1482. P. 1-4. doi
- Статья Toropov A., Evropeitsev E., Nestoklon M., Smirnov D., Shubina T., Kaibyshev V., Budkin G., Jmerik V. N., Nechaev D. V., Rouvimov S., Ivanov S., Gil B. Strongly Confined Excitons in GaN/AlN Nanostructures with Atomically Thin GaN Layers for Efficient Light Emission in Deep-Ultraviolet // Nano Letters. 2020. Vol. 20. No. 1. P. 158-165. doi
- Книга Ultraviolet Materials and Devices / Отв. ред.: S. Ivanov, T. Shubina, V. N. Jmerik, B. Gil. Wiley-VCH, 2020. doi
- Глава книги Ivanov S., Shubina T., Jmerik V. N., Gil B. Ultraviolet Materials and Devices, in: Ultraviolet Materials and Devices / Отв. ред.: S. Ivanov, T. Shubina, V. N. Jmerik, B. Gil. Wiley-VCH, 2020. doi P. 1-2. doi
- Статья Агранович В. М., Александров Е. Б., Багаев С. Н., Грехов И. В., Забродский А. Г., Иванов С В, Ивченко Е. Л., Кведер В. В., Новиков Б. В., Сурис Р. А., Тимофеев В. Б., Щербаков И. А. Александр Александрович Каплянский (к 90-летию со дня рождения) // Успехи физических наук. 2020. Т. 190. С. 1343-1344. doi
- Статья Калиновский В. С., Контрош Е. В., Климко Г. В., Иванов С. В., Юферев В. С., Бер Б. Я., Казанцев Д. Ю., Андреев В. М. Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения // Физика и техника полупроводников. 2020. № 3. С. 285-291. doi
- Глава книги Atanov N. V., Davydov Y. I., Glagolev V. V., Ivanov S., Jmerik V. N., Nechaev D. V., Tereshchenko V. V. A Scintillation Detector with a Barium Fluoride Crystal and a Photomultiplier with an AlGaN-based Photocathode and Microchannel Plates, in: 2019 IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference (NSS/MIC). Manchester : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019. doi P. 1-3. doi
- Статья Davydov V., Jmerik V., Roginskii E., Kitaev Y., Beltukov Y., Smirnov M., Nechaev D., Smirnov A., Eliseyev I., Brunkov P., Ivanov S. Boson Peak Related to Ga Nanoclusters in AlGaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy at Ga-Rich Conditions // Semiconductors. 2019. Vol. 53. No. 11. P. 1479-1488. doi
- Статья Wang Y., Rong X., Ivanov S., Jmerik V., Chen Z., Wang H., Wang T., Wang P., Jin P., Chen Y., Kozlovsky V., Sviridov D., Zverev M., Zhdanova E., Gamov N., Studenov V., Miyake H., Li H., Guo S., Yang X., Xu F., Yu T., Qin Z., Ge W., Shen B., Wang X. Deep Ultraviolet Light Source from Ultrathin GaN/AlN MQW Structures with Output Power Over 2 Watt // Advanced Optical Materials. 2019. Vol. 7. No. 10. P. 1-7. doi
- Статья Sviridov D. E., Jmerik V. N., Rouvimov S., Nechaev D. V., Kozlovsky V. I., Ivanov S. Direct observation of spatial distribution of carrier localization sites in ultrathin GaN/AlN quantum wells by spreading resistance microscopy // Applied Physics Letters. 2019. Vol. 114. No. 6. P. 1-5. doi
- Статья Solov’ev V. A., Chernov M. Y., Komkov O. S., Firsov D. D., Sitnikova A. A., Ivanov S. Effect of Strongly Mismatched GaAs and InAs Inserts in a InAlAs Buffer Layer on the Structural and Optical Properties of Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs Quantum-Confined Heterostructures / Пер. с рус. // JETP Letters. 2019. Vol. 109. P. 377-381. doi
- Статья Kotova L. V., Platonov A. V., Kats V. N., Sorokin S. V., Ivanov S., André R., Bugrov V. E., Kochereshko V. P. Effects of Spatial Dispersion in Symmetric and Asymmetric Semiconductor Quantum Wells // Physica Status Solidi (B): Basic Research. 2019. Vol. 256. No. 6. P. 1-5. doi
- Статья Sai P. O., Safryuk-Romanenko N. V., But D. B., Cywiński G., Boltovets N. S., Brunkov P. N., Jmeric N. V., Ivanov S., Shynkarenko V. V. Features of the Formation of Ohmic Contacts to n+-InN // Ukrainian Journal of Physics. 2019. Vol. 64. No. 1. P. 56-62. doi
- Статья Rakhlin M. V., Belyaev K. G., Klimkoa G. V., Sedova I. V., Kulagina M. M., Zadirano Y. M., Troshkov S. I., Guseva Y. A., Terent’ev Y. V., Ivanov S., Toropov A. A. Highly Efficient Semiconductor Emitter of Single Photons in the Red Spectral Range / Пер. с рус. // JETP Letters. 2019. Vol. 109. No. 3. P. 145-149. doi
- Статья Fominykh N., Solov`ev V., Chernov M., Ivanov S. In situ study of elastic strain relaxation in metamorphic InAs(Sb)/In(Ga,Al)As/GaAs heterostructures by using reflection high energy electron diffraction // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1400. No. 5. P. 1-6. doi
- Статья Firsov D. D., Komkov O. S., Solov’ev V. A., Semenov A. N., Ivanov S. Infrared photoreflectance of InSb-based two-dimensional nanostructures // Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. 2019. Vol. 36. No. 4. P. 910-916. doi
- Статья Shalygin V., Moldayskaya M., Panevin V., Galimov A., Melentev G., Artemyev A., Firsov D., Vorobjev L., Klimko G., Usikova A., Komissarova T., Sedova I., Ivanov S. Interaction of surface plasmon-phonon polaritons with terahertz radiation in heavily doped GaAs epilayers // Journal of Physics: Condensed Matter. 2019. Vol. 31. No. 10. P. 1-8. doi
- Статья Robin Y., Evropeitsev E., Shubina T., Kirilenko D., Davydov V., Smirnov A., Toropov A., Eliseyev I., Bae S., Kushimoto M., Nitta S., Ivanov S., Amano H. Localization and transient emission properties in InGaN/GaN quantum wells of different polarities within core–shell nanorods // Nanoscale. 2019. No. 1. P. 193-199. doi
- Статья Ivanov S., Chernov M., Solov'ev V., Brunkov P., Firsov D., Komkov O. Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures grown on GaAs for efficient mid-IR emitters // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 2019. Vol. 65. No. 1. P. 20-35. doi
- Статья Sorokin S. V., Avdienko P. S., Sedova I. V., Kirilenko D. A., Yagovkina M. A., Smirnov A. N., Davydov V. Y., Ivanov S. Molecular-Beam Epitaxy of Two-Dimensional GaSe Layers on GaAs(001) and GaAs(112) Substrates: Structural and Optical Properties / Пер. с рус. // Semiconductors. 2019. Vol. 53. P. 1131-1137. doi
- Статья Kozyrev N. V., Akhmadullin R. R., Namozov B. R., Kusrayev Y. G., Sedova I. V., Sorokin S. V., Ivanov S. Multiple spin-flip Raman scattering in CdSe/ZnMnSe quantum dots // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2019. Vol. 99. No. 3. P. 1-7. doi
- Статья Evropeitsev E., Robin Y., Shubina T., Bae S., Nitta S., Kirilenko D., Davydov V., Smirnov A., Toropov A., Kushimoto M., Ivanov S., Amano H. Narrow Excitonic Lines in Core–Shell Nanorods With InGaN/GaN Quantum Wells Intersected by Basal Stacking Faults // Physica Status Solidi (B): Basic Research. 2019. Vol. 256. No. 6. P. 1-6. doi
- Статья Komkov O. S., Firsov D. D., Andreev A. D., Chernov M. Y., Solov'ev V. A., Ivanov S. Peculiarities of the energy spectrum of InSb/InAs/InGaAs/InAlAs/GaAs nanoheterostructures revealed by room temperature photomodulation FTIR spectroscopy // Japanese Journal of Applied Physics. 2019. No. 58. P. 1-4. doi
- Статья Ivanov S. Remembering Zhores Alferov // Nature Photonics. 2019. Vol. 13. No. 10. P. 657-659. doi
- Статья Solov’ev V. A., Chernov M. Y., Morozov S. V., Kudryavtsev K. E., Sitnikova A. A., Ivanov S. Stimulated Emission at a Wavelength of 2.86 μm from In(Sb, As)/In(Ga, Al)As/GaAs Metamorphic Quantum Wells under Optical Pumping / Пер. с рус. // JETP Letters. 2019. Vol. 110. P. 313-318. doi
- Статья Lutsenko E., Rzheutski M., Nagorny A., Danilchyk A., Nechaev D., Jmerik V., Ivanov S. Stimulated emission, photoluminescence, and localisation of nonequilibrium charge carriers in ultrathin (monolayer) GaN/AlN quantum wells / Пер. с рус. // Quantum Electronics. 2019. Vol. 49. No. 6. P. 535-539. doi
- Статья Koshelev O., Nechaev D., Brunkov P., Ratnikov V., Troshkov S., Ivanov S., Jmerik V. Stress evolution during growth of AlN templates on c-Al2O3 substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1400. No. 5. P. 1-5. doi
- Статья Avdienko P., Sorokin S., Sedova I., Kirilenko D., Smirnov A., Eliseev I., Davydov V., Ivanov S. Structural and Optical Properties of GaSe/GaAs(001) Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy // Acta Physica Polonica A . 2019. Vol. 136. No. 4. P. 608-612. doi
- Статья Koshelev O., Nechaev D., Brunkov P., Orekhova K., Troshkov S., Ivanov S., Jmerik V. Suppression of Stark effect in ultra-thin stress-free GaN/AlN multiple quantum well structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy // Journal of Physics: Conference Series. 2019. Vol. 1410. P. 1-6. doi
- Глава книги Zamoryanskaya M. V., Ivanova E. V., Orekhova K. N., Kravets V. A., Trofimov A. N., Usacheva V. P., Ivanov S. The study of nanoheterostructures transport properties by local cathodoluminescence technique, in: AIP Conference Proceedings Vol. 2064: State-of-the-art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, STRANN-2018. AIP Publishing LLC, 2019. Ch. 040007. P. 1-5. doi
- Статья Bimberg D., Ivanov S., Vekselberg V. Zhores Ivanovich Alferov // PHYSICS TODAY. 2019. Vol. 72. No. 10. P. 72. doi
- Статья Соловьев В. А., Чернов М. Ю., Комков О. С., Фирсов Д. Д., Ситникова А. А., Иванов С. В. Влияние сильнонапряженных вставок GaAs и InAs в буферном слое InAlAs на структурные и оптические свойства метаморфных квантово-размерных гетероструктур InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs/GaAs // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 109. № 6. С. 381-386. doi
- Статья Сорокин С., Авдиенко П., Седова И., Кириленко Д., Яговкина М., Смирнов А., Давыдов В., Иванов С. В. Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства // Физика и техника полупроводников. 2019. № 8. С. 1152-1158. doi
- Статья Афанасьев В., Бобашев С., Быков А., Гордеев Ю., Забродский А., Зиновьев А., Иванов С. В., Каплянский А., Панов М., Петров М., Сурис Р., Шергин А. Памяти Вадима Васильевича Афросимова // Успехи физических наук. 2019. Т. 189. № 8. С. 901-902. doi
- Статья Асеев А., Варшалович Д., Велихов Е., Грехов И., Гуляев Ю., Жуков А. Е., Иванов С. В., Каплянский А., Копьев П., Красников Г., Сурис Р., Фортов В. Памяти Жореса Ивановича Алфёрова // Успехи физических наук. 2019. Т. 62. № 8. С. 899-900. doi
- Статья Соловьев В. А., Чернов М. Ю., Морозов С. В., Кудрявцев К. Е., Ситникова А. А., Иванов С. В. Стимулированное излучение на длине волны 2.86 мкм из метаморфных In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs квантовых ям в условиях оптической накачки // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 110. № 5. С. 297-302. doi
- Статья Луценко Е. В., Ржеуцкий Н. В., Нагорный А. В., Данильчик А. В., Нечаев Д. В., Жмерик В. Н., Иванов С. В. Стимулированное излучение, фотолюминесценция и локализация неравновесных носителей заряда в сверхтонких (монослойных) квантовых ямах GaN/AlN // Квантовая электроника. 2019. Т. 49. № 6. С. 535-539.
- Статья Рахлин М. В., Беляев К. Г., Климко Г. В., Седова И. В., Кулагина М. М., Задиранов Ю. М., Трошков С. И., Гусева Ю. А., Терентьев Я. В., Иванов С. В., Торопов А. Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 109. № 3. С. 147-151. doi
- Глава книги Ivanov S., Sorokin S., Sedova S. Molecular Beam Epitaxy of Wide Gap II−VI Laser Heterostructures, in: Molecular Beam Epitaxy: From Research to Mass Production. Second Edition. Elsevier, 2018. Ch. 25. P. 571-595. doi
- Статья Terent'ev Y. V., Danilov S. N., Loher J., Schuh D., Bougeard D., Weiss D., Durnev M. V., Tarasenko S. A., Mukhin M., Ivanov S., Ganichev S. D. Magneto-photoluminescence of InAs/InGaAs/InAlAs quantum well structures // Applied Physics Letters. 2014. Vol. 104. No. 10. P. 1-6. doi
- Статья Terent'ev Y. V., Mukhin M., Toropov A. A., Nestoklon M. O., Meltser B. Y., Semenov A. N., Solov'ev V. A., Ivanov S. Photoluminescence studies of Zeeman effect in type-II InSb/InAs nanostructures // Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics. 2013. Vol. 87. No. 4. P. 1-19. doi
- Статья Olbrich P., Zoth C., Drexler C., Lechner V., Lutz P., Ganichev S. D., Terent'ev Y. V., Bel'kov V. V., Mukhin M., Tarasenko S. A., Semenov A. N., Solov'ev V. A., Klimko G. V., Komissarova T. A., Ivanov S. Exchange interaction of electrons with Mn in hybrid AlSb/InAs/ZnMnTe structures // Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft. 2012. P. 1-1.
- Статья Liaci F., Kaibyshev V. K., Toropov A. A., Terent'ev Y. V., Mukhin M., Klimko G. V., Gronin S. V., Sedova I. V., Sorokin S. V., Ivanov S. Spin injection in a heterovalent structure with coupled quantum wells GaAs/(Al,Ga)As/(Zn,Mn)Se/ZnSe // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2012. Vol. 9. No. 8-9. P. 1790-1792. doi
- Статья Mukhin M., Terent'ev Y. V., Golub L. E., Nestoklon M. O., Meltser B. Y., Semenov A. N., Solov'ev V. A., Toropov A. A., Ivanov S. Electron Spin Alignment in InSb Type‐II Quantum Dots in an InAs Matrix // AIP Conference Proceedings. 2011. Vol. 1416. No. 1. P. 34-37. doi
- Статья Terent'ev Y. V., Mukhin M., Toropov A. A., Meltser B. Y., Semenov A. N., Ivanov S. Excitation Power Control of Circular Polarization of Magneto‐Photoluminescence from InSb/InAs Quantum Dots // AIP Conference Proceedings. 2011. Vol. 1399. No. 1. P. 667-668. doi
- Статья Mukhin M., Terent'ev Y. V., Golub L. E., Nestoklon M. O., Meltser B. Y., Semenov A. N., Solov'ev V. A., Sitnikova A. A., Toropov A. A., Ivanov S. Magneto-Optical Studies of Narrow Band-Gap Heterostructures with Type II Quantum Dots InSb in an InAs Matrix // Acta Physica Polonica A . 2011. Vol. 120. No. 5. P. 868-869. doi
- Статья Terent'ev Y. V., Mukhin M., Solov'ev V. A., Semenov A. N., Meltser B. Y., Usikova A. A., Ivanov S. Study of photoluminescence and electroluminescence mechanisms in quantum-confined InSb/InAs heterostructures / Пер. с рус. // Semiconductors. 2010. Vol. 44. No. 8. P. 1064-1069. doi
Конференции
1. 20th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018), Shanghai, China
«PA MBE grown GaN/AlN multilayer quantum platelets for highefficiency electron-beam-pumped
235 nm emitters», 02-09-2018
2. XXII Межд. Симп. "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, Россия
«Метаморфные наногетероструктуры InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs для эффективных излучателей среднего ИК диапазона», 12-03-2018
3. Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, Новосибирск, Россия
«Фотоника среднего УФ-диапазона на основе AlGaN наногетероструктур», 21-05-2019
4. International Conference Laser Optics ICLO 2020
«Lasers and Zhores Alferov’s heterostructures: past, current, and future», 02-11-2020
5. 11-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
«Полупроводниковая оптоэлектроника в ФТИ им. А.Ф. Иоффе в XX и XXI веке», 28-10-2020
Участие в редколлегиях научных журналов
С 2015 г.: член редколлегии журнала «Superlattices and Microstructures».
Гранты
1. РФФИ, 18-02-09950, "Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства метаморфных
наногетероструктур с квантовыми ямами InSb/InAs/In(Ga,Al)As на подложках GaAs для
эффективных источников излучения среднего ИК диапазона", 01-01-2018
2. РФФИ, 17-52-80089, БРИКС_а, "Новые принципы и технологии формирования экстремальных 2D и 0D наногетероструктур AlGaInN для высокоэффективных источников спонтанного и лазерного излучения среднего и глубокого ультрафиолетового диапазона", 01-03-2017
3. РНФ, 14-22-00107, Излучатели когерентного и квантового света для информационноемкой полупроводниковой нанофотоники, 30-07-2014
4. РНФ,19-72-30040, Многофункциональная полупроводниковая фотоника на основе (Al,Ga)N гетероструктур, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Опыт работы
Советский и российский учёный-физик, нанотехнолог, специалист в области полупроводниковых гетероструктур, низкоразмерных систем и молекулярно-пучковой эпитаксии. С 2018 года являюсь директором Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге, где до этого был руководителем группы молекулярно-пучковой эпитаксии.
По совместительству, с 2004 года преподаю в двух вузах Санкт-Петербурга: студентам Академического университета (СПбАУ), основанного Ж. И. Алфёровым (профессор кафедры физики и технологии наноструктур), и Санкт-Петербургского электротехнического университетета (профессор кафедры “Микроэлектроника” факультета электроники). С 2020 - студентам НИУ ВШЭ - Санкт-Петербург (заведующий базовой кафедрой ФТИ им. А.Ф. Иоффе).
Являюсь членом диссоветов ФТИ и СПбГЭТУ «ЛЭТИ», вхожу в программные и координационные комитеты регулярных международных конференций по физике и технологии полупроводников, являюсь экспертом РФФИ и РНФ, членом редколлегии журнала “Superlattices and Microstructures”.
Информация*
- Общий стаж: 43 года
- Научно-педагогический стаж: 3 года
- Преподавательский стаж: 3 года
Данные выводятся в соответствии с требованиями приказа N 831 от 14 августа 2020 г. Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки
Профессора Питерской Вышки получили государственные награды
В преддверии 300-летия Российской академии наук профессора факультета физико-математических и компьютерных наук Антон Кривцов и Сергей Иванов получили медали ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени.
Валентина Журихина: «Если любите физику — выбирайте ее, она уж точно не разочарует»
Магистерская программа «Физика» провела первый набор в 2020 году. Она подойдет как будущим теоретикам, так и экспериментаторам. Можно погружаться в вопросы математической физики или изучать микролазеры в вышкинской лаборатории. Какие перспективы у выпускников программы, как выглядит учебный план и на чем строится научная работа — рассказывает академический руководитель Валентина Журихина.
Сергей Викторович Иванов избран членом-корреспондентом РАН
С 1 по 3 июня в Москве проходило общее собрание Российской академии наук, на котором выбирали новых членов. Заведующий базовой кафедрой ФТИ им. А. Ф. Иоффе Сергей Викторович Иванов пополнил ряды членов-корреспондентов по отделению физических наук.
Сотрудники НИУ ВШЭ избраны академиками и членами-корреспондентами РАН
Итоги выборов были подведены на общем собрании Российской академии наук, которое проходит с 1 по 3 июня. Среди новых академиков и членов-корреспондентов РАН — восемь сотрудников Вышки.
Экспертный совет премии им. Алфёрова определил претендента на победу
7 апреля в Питерской Вышке состоялось заседание экспертного совета по присуждению премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в номинации «Нанотехнологии» — премии им. Ж.И. Алфёрова.