Совместный круглый стол на XVI российской конференции полупроводников в рамках проекта НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество»
На XVI российской конференции по физике полупроводников прошел по материалам совместного исследования в рамках проекта НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество» (Academic Cooperation) Международной лаборатории квантовой оптоэлектроники НИУ ВШЭ Санкт-Петербург и научного коллектива Центра «Широкозонная нано- и микроэлектроника» Института физики имени Б.И. Степанова, НАН Беларуси.
.jpg "Совместный круглый стол на XVI российской конференции полупроводников в рамках проекта НИУ ВШЭ «Международное академическое сотрудничество»")
С 7 по 11 октября проходила XVI Российская конференция по физике полупроводников, где ведущие ученые представляли свои результаты в области современной науки и технологии полупроводников. в рамках конференции состоялся круглый стол, организованный нашей лабораторией, по теме “Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов” при участии коллег из института физики имени Б. И. Степанова НАН Беларуси в рамках реализации совместного фундаментального научного проекта «Международное академическое сотрудничество НИУ ВШЭ». В рамках совместного круглого стола обсуждались текущие результаты выполнения проекта, а так же планы на будущее. Видеозапись круглого стола доступна для просмотра и скачивания.
