• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

Технология полупроводниковых наногетероструктур

2022/2023
Учебный год
RUS
Обучение ведется на русском языке
6
Кредиты
Статус:
Курс по выбору
Когда читается:
1-й курс, 3, 4 модуль

Программа дисциплины

Аннотация

Дисциплина направлена на приобретение обучающимися знаний, умений и навыков в области исследования и разработки технологических процессов получения полупроводниковых приборов микро- и оптоэлектроники нового поколения на основе наногетероструктур соединений А3В5 и А2В6 с использованием современной эпитаксиальной технологии молекулярно-пучковой эпитаксии. Существенное внимание уделяется изучению физических закономерностей, определяющих свойства и поведение полупроводниковых соединений, применяемых в приборах и устройствах оптоэлектроники, во взаимосвязи с технологическими методами и условиями их получения. Курс направлен на формирование навыков проектирования технологического процесса получения гетероструктур с заданными свойствами, используя весь спектр известных в настоящее время полупроводниковых соединений А3В5 и А2В6.
Цель освоения дисциплины

Цель освоения дисциплины

  • Приобретение обучающимися знаний, умений и навыков в области исследования и разработки технологических процессов получения полупроводниковых приборов микро- и оптоэлектроники
Планируемые результаты обучения

Планируемые результаты обучения

  • Знает основы теории формирования новой фазы на поверхности твердого тела.
  • Знает процессы кинетики роста тонких пленок.
Содержание учебной дисциплины

Содержание учебной дисциплины

  • Основы теории формирования новой фазы на поверхности твердого тела
  • Кинетика роста тонких пленок
  • Качественная картина ростового процесса в гетероэпитаксиальных системах
  • Нитевидные нанокристаллы (нановискеры)
Элементы контроля

Элементы контроля

  • блокирующий Контрольная работа
    Контрольная работа проводится в письменной форме. Работа состоит из 2 вопросов, за каждый правильный ответ студент получает 5 баллов. На подготовку выделяется 2,5 часа.
  • блокирующий Устный экзамен
    Экзамен проверяет освоение учащимся материала курса, а также умение самостоятельно пользоваться полученными знаниями. Экзаменационный билет состоит из двух вопросов из списка вопросов к экзамену. После ответа на вопросы экзаменатор задаёт дополнительные вопросы и, в случае успешного ответа на них, задачу. Ответ на дополнительные вопросы не предполагает трудоёмких вычислений или длинных рассуждений и проверяет общее знание курса. На подготовку ответа выделяется 2,5 часа.
Промежуточная аттестация

Промежуточная аттестация

  • 2022/2023 учебный год 4 модуль
    0.5 * Устный экзамен + 0.5 * Контрольная работа
Список литературы

Список литературы

Рекомендуемая основная литература

  • Антоненко, С. В. Технология наноструктур : учебное пособие / С. В. Антоненко. — Москва : НИЯУ МИФИ, 2008. — 116 с. — ISBN 978-5-7262-0947-0. — Текст : электронный // Лань : электронно-библиотечная система. — URL: https://e.lanbook.com/book/75885 (дата обращения: 00.00.0000). — Режим доступа: для авториз. пользователей.
  • Капустин В.И., Сигов А.С. - Технология производства и контроль качества наноматериалов и наноструктур - НИЦ ИНФРА-М - 2019 - ISBN: 978-5-16-015278-3 - Текст электронный // ЭБС ZNANIUM - URL: https://znanium.com/catalog/document?id=363017

Рекомендуемая дополнительная литература

  • Корабельников, Д. В. Физика наноструктур : учебное пособие / Д. В. Корабельников, Н. Г. Кравченко, А. С. Поплавной. — Кемерово : КемГУ, 2016. — 161 с. — ISBN 978-5-8353-2048-6. — Текст : электронный // Лань : электронно-библиотечная система. — URL: https://e.lanbook.com/book/92377 (дата обращения: 00.00.0000). — Режим доступа: для авториз. пользователей.