Публикации

Современные нанотехнологии давно нашли свое место в области лазерных и светоизлучающих структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники, а также в других областях науки и технологии. Одним из наиболее ярких примеров применения нанотехнологий является развития микропроцессорной техники, где за несколько последних десятилетий топологический размер затворов транзисторов уменьшился с единиц микрометров до единиц нанометров. Это привело к значительному увеличению их быстродействия, увеличению плотности расположения в интегральной схеме и к снижению энергопотребления. Для создания функциональных наноструктур нового поколения требуется дальнейшее развитие постростовых методов на основе новых технологий, новых материалов и подходов, а также подготовки высококвалифицированных специалистов в этой области. В данном пособии рассматриваются наиболее распространенные методы создания микро- и наноструктур с упором на применение в области микро- и наноэлектроники. В пособии разбираются основы полупроводниковых нанотехнологий, в том числе и в привязке к современным транзисторным структурам. Отдельное внимание уделено различным методам оптической литографии, а также факторам, влияющим на ее пространственное разрешение. Выявлены области применения и рассмотрены фундаментальное ограничения фотолитографии при создании наноструктур в условиях исследовательской лаборатории. Представлено детальное обсуждение электронной литографии, используемой для создания наноструктур с пространственным разрешением менее 10 нм. Кроме того, в пособии приводится углубленный анализ возможностей и ограничений литографических методов экспонирования резистов и визуализации получившихся наноструктур с применением пучков заряженных частиц на непроводящих подложках. Последняя глава посвящена обзору физико-технических основ и приборной реализации методов газофазного осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев на кремниевых подложках. Представленное пособие является методическим материалом, предназначенным бакалаврам старших курсов и магистрам, проходящим обучение по таким направлениям и профилям, как: «Физика и техника полупроводников», «Физическая электроника», «Физические принципы аналитического приборостроения», «Физика нанотехнологий и наноразмерных структур», «Радиофизика и электроника», «Физическая оптика и квантовая электроника» и др.

Представлены аналитические выражения и с их помощью выполнен анализ компонент электрического сопротивления инжекционных микродисковых лазеров в зависимости от размера микродискового резонатора, параметров подложки и геометрии расположения контакта к ней